电力电子技术实验报告_3.doc

课程名称 电力电子技术 指导老师 马 海 啸 学生姓名 江 海 燕 班级学号 学院（系） 自 动 化 专 业 自 动 化 实验一 功率场效应晶体管(MOSFET)特性与驱动电路研究 一．实验目的 1．熟悉MOSFET主要参数的测量方法。 2．掌握MOSEET对驱动电路的要求。 3．掌握一个实用驱动电路的工作原理与调试方法。 二．实验内容 1．MOSFET主要参数：开启阈值电压VGS(th)，跨导gFS，导通电阻Rds，输出特性 ID=f(Vsd)等的测试。 2．驱动电路的输入，输出延时时间测试。 三．实验设备和仪器 1．MCL-07电力电子实验箱中的MOSFET与PWM波形发生器部分 2．双踪示波器 3．毫安表 4．电流表 5．电压表 四．实验线路 见图2-1 五．实验方法 1．MOSFET主要参数测试 (1) 开启阈值电压VGS(th)测试 开启阈值电压简称开启电压，是指器件流过一定量的漏极电流时(通常取漏极电流ID=1mA)的最小栅源电压。 断开MCL-07中的电源（开关S），主回路的“1”端与MOS管的“25”端之间串入直流毫安表，测量漏极电流ID，将主回路的“3”与“4”端分别与MOS管的“24”与“23”相连，再在“24”与“23”端间接入电压表，测量MOS管的栅源电压Vgs，并将主回路电位器RP左旋到底，使Vgs=0。 将电位器RP逐渐向右旋转，边旋转边监视毫安表的读数，当漏极电流ID=1mA时的栅源电压值即为开启阈值电压VGS(th)。 适当选择、读取7组ID、Vgs，其中ID=1mA必测，填入表2-1。 表2-1 ID(mA) 0.1 0.4 0.7 1 5 10 20 Vgs(V) 2.86 3.01 3.07 3.11 3.30 3.39 3.50 图 图2-1 MOSFET实验电路 (2) 跨导gFS测试 双极型晶体管(GTR)通常用hFE(β)表示其增益，功率MOSFET器件以跨导gFS表示其增益。跨导的定义为漏极电流的小变化量与相应的栅源电压小变化量之比，即gFS=ΔID／ΔVGS。 典型的跨导额定值是在1/2额定漏极电流和VDS=15V下测得，受条件限制，实验中只能测到1/5额定漏极电流值。 根据表2-1的测量数值，计算gFS =0.003Ω。 (3) 转移特性ID=f(Vsd) 栅源电压Vgs与漏极电流ID的关系曲线称为转移特性。 根据表2-1的测量数值，绘出转移特性曲线如下。 转移特性曲线 (4) 导通电阻RDS测试 导通电阻定义为RDS=VDS／ID 将电压表接至MOS管的“25”与“23”两端，测量VDS，其余接线同上。改变VGS从小到大读取ID与对应的漏源电压VDS，测量7组数值，填入表2-2。 表2-2 ID(mA) 0.1 0.4 0.7 1 5 10 20 VDS (V) 14.85 14.85 14.83 14.81 14.73 14.60 14.35 (5) ID＝f(VSD)测试 ID＝f(VSD)系指VGS=0时的VDS特性，它是指通过额定电流时，并联寄生二极管的正向压降。 A．在主回路的“3”端与MOS管的“23”端之间串入直流毫安表，主回路的“4”端与MOS管的“25”端相连，在MOS管的“23”与“25”之间接入电压表，将RP右旋转，读取一组ID与VSD的值填入表2-3。 表2-3 ID(mA) 0.1 0.4 0.7 1 5 10 20 VSD (V) 0.45 0.49 0.51 0.52 0.56 0.58 0.61 B．将主回路的“3”端与MOS管的“23”端断开，在主同路“1”端与MOS管的“23”端之间串入直流安培表，读取VSD的值。VSD= 0.86V。 C．将“1”端与“23”端断开，在主回路“2”端与“23”端之间串入安培表，读取VSD的值。VSD= 0.89 V。 记录开门时间ton（输入波形开始下降到输出波形上升到最大值的90%）；关门时间toff（输入波形开始上升到输出波形下降到最大值的10%） ton= 920ns ，toff = 110.0ns 记录延时时间toff1 280ns （输入波形开始上升到输出波形也开始上升的时间） 实验二 直流斩波电路的性能研究 一．实验目的 熟悉降压斩波电路(Buck Chopper)和升压斩波电路(Boost Chopper)的工作原理，掌握这两种基本斩波电路的工作状态及波形情况。 二．实验内容 1．SG3525芯片的调试。 2．降压斩波电路的波形观察及电压测试。 3．升压斩波电路