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sige半导体在si基集成电路中的重要作用 1 iiing膜的提出 30多年后，si一直是发达国家工业中唯一的半材料。尽管最早采用的是Ge,并且其他某些半导体材料也许具有较高的载流子迁移率、较大的载流子饱和漂移速度和较宽的禁带宽度,但由于Si的许多优良特性,特别是能方便地形成极其有用的绝缘膜——SiO2膜,而且在Si工艺中也能够方便地使用另一种很有价值的绝缘膜——Si3N4膜,从而利用Si能够实现最廉价的集成电路工艺,所以在整个微电子技术中,Si器件的应用超过了97%。 虽然现在Si在微电子技术中占据着主导地位,但是由于其载流子的迁移率和饱和漂移速度较低,而且具有间接跃迁能带结构,限制了它在若干方面的应用。因此,在许多模拟电子技术领域,特别是在高频、高速方面(例如射频功率放大器和激光器),往往是GaAs、InP等化合物半导体起主要作用。然而,化合物半导体技术难以大规模集成,同时,加工不便、成本较高,所以人们还是希望从Si技术中寻找出适应高频、高速需要的新技术。最早由IBM提出的SiGe技术在很大程度上满足了这种需求。 SiGe技术由于能够在Si片上通过能带工程和应变工程改善Si的性能,同时又能够采用成熟和廉价的Si工艺技术来加工,所以受到人们的极大关注。1998年,研制出实用的射频(RF)SiGe异质结双极型晶体管(SiGe-HBT),并且在微电子技术的主流领域——CMOS集成电