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一种p阱c级进模设计 1 过温保护电路 在集成电路中，例如，电源管理芯片、a-d或d-a检测器需要在片中集成高精度电压参考源。其中，带刺参考源的应用最为广泛。另外, 在功率集成电路中, 由于功耗较大, 芯片的温度变化也较大, 为保证电路的稳定性和可靠性, 过温保护电路也必不可少。本文设计了一种适用于P阱CMOS工艺的具有高电源电压抑制比和低温度系数的带隙式基准源;同时, 利用实现基准源时所需的两路具有不同温度系数的电流, 通过直接电流比较的方法, 实现了高精度的过温保护电路。整个电路中使用了三级共栅共源 (Cascode) 结构, 因此基准源的电源电压抑制比高、温度系数小。此外, 过温保护和解除保护的温度跳变点可以通过调整相关MOS管的宽长比进行精确设置。 2 iptat和iiibe的交互作用 整个电路的基本结构如图1所示, 它由四部分组成。其中的关键部分是两路电流:一路是由基准核心电路产生的正比于绝对温度的电流 (PTAT电流, 记为IPTAT) ;另一路是对双极晶体管的发射极-基极电压 (VBE) 进行V-I变换产生的电流 (记为IVBE) , 它具有负温度系数。在输出电路部分, 调节这两路电流的比值, 将其相加, 先可以得到一个理论上与温度无关的恒定电流, 再通过电流镜的转换, 产生对地输出的基准电压信号。过温保护电路中, 则通过调节IPTAT和IVBE的比值, 将其直接比