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igb大功率模块结温测量的研究进展 0 关于igbt功率模块失效的问题 绝缘体双极体（igdt）是由mosfi和双极体组成的设备。它在很大的频率应用中占据主导地位，尤其是在含有能源的电气系统中。由于igdt大规模模块故障，风扇装置无法离开管道，导致整个电气系统的运行错误，并可能导致严重的停电事故和严重的经济损失。所以,IGBT模块的可靠性问题尤为重要。可靠性研究中非常重要的是IGBT模块的失效研究和寿命预测,IGBT模块铝键合线和焊料层的老化失效与结温波动直接相关,而且模块寿命与结温波动幅度存在关系,为了进行IGBT的寿命预测,也需监测结温及其波动范围。 在实际应用中,IGBT芯片是经过专门封装才构成模块加以应用的,IGBT功率模块分层结构如图1所示。根据失效原因,可把IGBT功率模块失效表现分为两种:与封装有关的失效和与芯片有关的失效。IGBT在实际工作中,结温可能出现较大波动从而引起热循环冲击,因IGBT封装中各层材料间热膨胀系数CTE不一致,在长期热循环冲击下,各层材料之间将发生疲劳老化,并最终导致IGBT铝键合线断裂或脱落而使模块失效。 铝键合线脱落属于与封装有关的失效的一种。一般铝键合线通过特殊工艺嵌到硅芯片表面起导流作用,由于铝键合线和硅芯片之间的CTE不一致,结温持续波动将使键合面产生裂纹,裂纹不断扩散最终导致铝键合线脱落。 另外一种与封装有关的失效是焊接层老化,国