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电子测量
ESD技术在集成电路防护中的应用
曹翠娇,闫利哲
(石家庄麦特达电子科技有限公司,河北石家庄,050200)
摘要: ESD是指静电放电,是生产制造集成电路的过程中一种常见的现象。集成电路出现静电放电现象的成因比较简单,通常两个不同的
静电势物体在静电场感应下接触,其中的静电荷会发生交互传感的现象,这时候静电场会产生上千伏的电压,在这种高电压的情况下,集
成电路中的半导体原件和其他零部件容易被巨大的电能影响,从而发生破坏。
关键词:集成电路;ESD防护技术;防护应用
0 引言 极管器件缺少回滞,所以目前二极管的防护检测技术通常是
利用轨到轨的方法。
随着现代社会的不断进步,静电防护越来越受到人们的
重视。作为集成电路生产的重要组成技术,静电防护技术对
于电路的生产和使用具有重要意义。本文以集成电路的静电
防护为中心,介绍了静电放电现象的成因,以及静电防护技
术的器件与原理,最后针对目前 ESD 防护技术具体应用进
行了探讨。 图 1 简单的 NPN 晶体管结构图
1 集成电路的 ESD 现象产生的原因 3 ESD 防护技术的应用
集成电路在运转的过程中,会产生许多电子引力,物体 ■ 3.1 全芯片防护技术
在彼此接触的过程中也会产生摩擦力,从而产生使物体带 在集成电路的生产制造过程中,静电放电现象会对集成
上不同的电荷,如果产生的电荷无法进行及时有效的传递、 电路带来不同程度的破坏,目前全球的集成电路制造技术已
中和,那么电荷量就会越积越多,最后集成电路内部就会形 经朝着纳米化的方向发展,过去的某些生产技术会对集成电
成超高的电压,从而发生 ESD 现象。物体摩擦的速度、摩 路造成静电放电现象,降低集成电路对 ESD 现象的防护能
擦有效接触面、空气干燥程度、集成电路温度都会影响摩擦 力,进而影响集成电路的使用寿命和产品质量。所以当前全
产生的电荷的多少,从而影响 ESD 现象的强弱。而当一个 芯片防护技术成为了设计和制造集成电路的过程中的一种
本身不带电的集成电路被放入一个静电场中时,集成电路内 常用的技术,在全芯片防护技术中通过给 PAD 的周边安装
部某些部分就会受到静电场的影响,从而发生电荷的移动和 集成电路防护电路提高集成电路的静电防护性能。
堆积现象,此时如果另一个与自身所带电压不同的物体接触 ESD clamp 模块是电源 VDD 和 VSS 之间的箱味电路
时,集成电路就会受到瞬间的高电流影响而产生通电,也会 GGNMOS,ESD clamp 模块安放在芯片的四个角落,靠着
发生 ESD 现象。 VDD 与 GND 的 PAD 摆放,当发生静电放电现象时进行电
流排放,同时还能够保证电压的箱位,使得芯片内部的电压
2 ESD 基本的防护器件
不会太高。
■ 2.1 电阻 基于对静电放电现象的分析,我们可以看出集成电路造
电阻是集成电路中的重要组成部分,电阻是结构最简单 成的破坏较强且难以恢复。全芯片防护技术使用的 power
的无源器件,也是 ESD 防护技术的重要部分,目前常用的 clamp 是置于 VSS 以及 VDD 之间,将静电防护电路分为动
是 N 型阱电阻。 态与静态防护电路两种防护形式。静态的 power clamp 能
■ 2.2 双极型晶体管 够给集成电路提供一个
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