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本发明属于半导体材料生产技术领域，具体涉及一种用于液相法碳化硅单晶生长过程中二次补充硅料方法，通过坩埚内胆，所述坩埚内胆中适于承放物料；坩埚外胆，所述坩埚外胆中适于承放物料；所述坩埚内胆与所述坩埚外胆适配，所述坩埚内胆设置在所述坩埚外胆，并且所述坩埚内胆的外壁与所述坩埚外胆的内壁之间设置有间隙；实现了在硅料融化的过程中进行二次补料，保证生长界面条件稳定，确保单晶长时间稳定生长，确保单晶的品质。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116623279 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310594550.X
(22)申请日 2023.05.25
(71)申请人 常州臻晶半导体有
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