GaN衬底制备探索及ZnO基透明导电膜的制备与后期处理研究的中期报告.docxVIP

GaN衬底制备探索及ZnO基透明导电膜的制备与后期处理研究的中期报告 这份中期报告介绍了GaN衬底制备以及ZnO基透明导电膜的制备和后期处理的研究情况。 首先，对于GaN衬底的制备，我们已经完成了以下工作： 1. GaN衬底的准备：通过化学气相沉积法（CVD）制备了高质量的GaN衬底。 2. 衬底表面的处理：使用化学机械抛光（CMP）和离子束刻蚀（IBE）等技术对GaN表面进行了处理，以获得更好的平整度和表面质量。 3. 衬底质量的评估：通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和拉曼光谱等技术对GaN衬底的质量进行了评估。 接着，针对ZnO基透明导电膜的制备和后期处理，我们已经完成了以下工作： 1. 薄膜的制备：使用射频磁控溅射法或化学气相沉积法在GaN衬底上生长了ZnO薄膜。 2. 薄膜的优化：通过调节溅射参数和反应条件等方法优化了薄膜生长过程，提高了薄膜的质量和导电性能。 3. 薄膜的后期处理：使用热处理、退火、氢气处理和真空紫外线处理等技术，对ZnO薄膜进行了后期处理，以进一步提高薄膜的导电性能和稳定性。 目前，我们已经初步得出了以下结论： 1. CVD法可获得高质量的GaN衬底，并且CMP和IBE等技术能够有效地改善其表面质量。 2. ZnO薄膜的导电性能随着溅射功率和温度的提高而提高，但需要注意过高的参数会导致薄膜质量下降。 3. 热处理、氢气处理和真空紫外线处理等后期处理方法可以有效地提高ZnO薄膜的导电性能和稳定性。 最后，我们正在进一步研究不同后期处理方法对ZnO薄膜导电性能和稳定性的影响，并计划开展与其他研究团队的合作，以进一步推进这项研究的进展。