USB接口内部结构IC要点.docxVIP

一、USB 接口电路 宝 SPEE1D VMOJFSEO D+ VPO RC V VP VM 1、USB1.1 协议对IO 口直流特性的要求： ln p wt L eve ls : H |gh (d ri ve n ) V IH !Not e 4, Seo tion 7.1.4 2.0 V H|gh (floating) V旧Z. !Note 4, Section 7.1.4 2.7 3.6 V Low VIL !Note 4, Se切on 7.t .4 0.8 V Di1ff可i ential Input Sen sitivity Vol I(D+)-(D-}I; 曰g,ure 7 - 9 ; No t e 4 0.2 V Diff e r e nt i a l C -0m mon !Mode Range VCM lnolu des Vo1 ra n g e ; Figu「e 7-9; Note 4 0 . 8 25 v 。山put !Lev els: Low Vol !Note 4, 5, Section 7_ 1 _1 0 . 0 i0_3 V H tgh (D ri VBlil) VOIH N ote 4 ., 6, Sec tion 7. 1.1 28 3 .6 V Ou tp ut Sig n al Cmssove『 Vol1tage VCRS !Measured as in Figur e 7 - 6 ; N ote 10 13 2 0 V 2 、 Virtex-5 IO： 1）LVTTL 直流特性 表16 - 4: L VTTl 的直流电压指标 参数 最小值 典型值 最大值 Vcc o 3 .0 3 .3 31. 4 5 VREF v订 ViH 2.0 31. 4 5 vlL - 0 . 2 0 . 8 VOH 2.4 Vol 0 . 4 VoH 对 应 的 loH (m1A) 注 2 Vol 对应的 lol (mA)i 注 2 2）LVCMOS、LVDCI 和 LVDCI_DV2 直流特性： 裴 6- 9: LVCMOS、LVDCI 和 LVDCIJDV2 在各种参考电压 下的直流电压指标 标准 +3.3V +2.5V +1.8V +1.5V +1. 2v(2 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 录小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 Vcc o [V] 3.0 33 3.45 2.3 25 2.7 1.7 1.8 1.9 1i.4 1i.5 1.6 1.1 1.2 1.3 V1H [VJ 2 .0 3 . 45 1 .7 Vcc o +0.3 1.105 Vc co +0 .3 0.91i Vcc o +0.3 0 .715 Vcc o + 0.3 V1L [ V] - 0.2 0.8 - 0.3 0.7 一0 . 3 0 . 665 - 0 3 0 . 56 0.3 0.455 VoH [V] 2.6 1.9 1.25 1.05 0.825 Vol [V] 0.4 0.4 0.45 0.4 O3 25 |IN [μA] 士5 土5 ＝ 土5 ＝ 土10 土10 4、USB1T11 芯片： 通过查找资料在 FPGA 中用 LVCMOS 类型的 IO 口进行 USB 接口电路的代替。 二、TSMC IO Library 中 IO 口的分析： TSMC IO 库中有许多 IO 口类型，选择符合接口电路对 IO 进行版图提取并分析仿真其性能是否符合要求。 主要是分析一下 IO library 中的 PRB24SDGZ IO 口电路，PRB24SDGZ 的结构图如下： PRB24SDGZ 采用 schmitt 输入和三态输出结构，并且具有耐高压性能。根据其所提供的版图提取出其电路原理图： 输入电路： 由上原理图左半部分可知，输入采用施密特输入结构，施密特输入结构可以提高噪声容 限，PAD 输入经过施密特后接3 个非门结构，该结构的目的主要是讲PAD 点的 3.3v 电平转化成芯片内部的供电电压 1.8v，同时也起到提高驱动能力的作用。为了能够耐高压，该 IO 口电路采用了一种 floating N-well 结构： 上图中下半部分是输出驱动管，上半部分是 Floating N-well 结构，其工作原理是：当 PAD 点输入电压超过 3.3+Vth 时，M191 和 M192 管子会反向导通，而 M193 管子截止，此时节点 F_Nwell 就会跟随 PAD 点的电压变化，与此同时，M194 管子也会导通，是 A 节点的电压与 PAD 点的一样，保证了输出驱动管子M188 的截止；但 PAD 电压小于 3.3v，N-well 又偏置