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江苏大学 硕士学位论文 新型多喷淋头式MOCVD反应器的数值模拟及优化设计 姓名：陈景升 申请学位级别：硕士 专业：热能工程 指导教师：左然江 苏 大 学 硕 士 学 位 论 文 I 摘 要 金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 是制备LED、 半导体激光器和大功率电 子器件的关键技术。在 MOCVD 反应器中，存在着由于大的温度差引发的强烈 的自然对流，由浓度差引起的浓度扩散，由高温引起的气相和表面化学反应，由 高温引起的热扩散以及高温衬底对壁面的热辐射等。它们与反应器的形状和几何 尺寸等因素耦合在一起，影响薄膜生长的速率和质量。因此，深入了解 MOCVD 反应器内的薄膜生长过程，对于优化反应器设计、控制薄膜生长速率和提高薄膜 生长质量，具有重要意义。 随着LED 产业的迅猛发展，在保证薄膜生长质量的基础上，实现MOCVD 反应 器的扩容是未来发展的趋势。本论文设计了一款适合于多片生长的多喷淋头式 MOCVD 反应器：反应气体从衬底上方的多个喷淋头喷向晶片，反应后的尾气从 各个导流筒的周围向上返回，最后从位于托盘上方的出口排出。每个基片的生长 环境只取决于单个基片上方的气流分布，与其他基片无关，从而在整体上消除了 反应物浓度沿托盘径向的不均匀性，达到薄膜均匀生长的目的。 为了验证这种新型反应器的性能，利用 FLUENT 和 CVDsim 软件，对其薄 膜生长过程及其与外部参数的关系进行了计算机数值模拟，并提出了反应器的优 化方案。在此过程中，分别对考虑热辐射和化学反应的二维轴对称模型进行了数 值模拟。通过变化反应器几何参数和操作参数，验证了设计方案的可行性。研究 发现：衬底表面大部分区域具有均匀的温度场和良好的滞止流。适当的增大反应 器高度和降低压强有利于衬底表面TMGa 的浓度分布。综合考虑CVDsim 中 GaN 生长的化学反应后，显示该模型中 MMGa 是薄膜生长的主要反应前体，衬底表 面 GaN 生长速率均匀，源气体的利用率较高，但导流筒壁面的寄生沉积速率普 遍偏高。通过优化设计，抑制了导流筒壁面的寄生沉积。 论文最后分析了化学反应动力学模型，提出了十步气相反应和四步表面反 应，结果显示利用该化学反应模型模拟的GaN 沉积速率沿基片径向均匀性较好， 且与CVDsim 的模拟结果在同一数量级。 关键词： MOCVD 反应器，薄膜生长，辐射，化学反应，数值模拟 江苏大学硕士学位论文 Ⅱ ABSTRACT Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) is a key technique in the manufacturing of LED, semiconductor lasers and high-power electronic devices. In MOCVD reactors there exist large temperature and concentration differences, which will lead to intense natural convection and concentration diffusion that interact with foreed convection and complex reactor geometries. In addition, there are chemical reactions of gas phase and surface, thermal diffusion caused by large thermal gradient and the radiation heat-exchange from substrate to wall. All these phenomena are coupled together and affect film growth rate and quality. Thus, to optimize the reactor geometry, control the film growth rate and improve the film quality, it is essential to have a detailed understanding of film growth processes in MOCVD reactors. With the rapid development of LED industry, there is an urgent need for the multi-wafer MOCVD reactor, while keeping the film growth