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sigesi异质结双极级海洋平台管的研制 0 sige材料外延方法 1957年，h.kromer提出，在宽范围内的勘探区，狭窄范围内的异质结晶管可能大大改善了晶体的特性。从这一理论的角度来看，sige技术成为si领域的研究热点。目前,SiGe材料的外延方法主要分为全片外延、差分外延和选择性外延。针对不同外延手段,SiGe HBT制造又分为台面结构制作方法和平面结构制作方法。与平面结构制作方法相比,台面结构制作方法简单,工艺步骤少,能快速检验材料质量,但制作的器件受发射区条宽限制,频率偏低。本文根据现有工艺条件,对台面结构SiGe HBT制作过程中的SiGe 材料外延生长、发射区台面腐蚀、多晶硅n型杂质掺杂及退火、金属硅化物制作等关键工艺进行了探究,掌握了工艺控制方法。 1 器件结构参数对区端面制件的影响 图1给出了多晶硅发射极SiGe HBT器件结构,主要工艺过程参考图2。在整个工艺流程中,发射区台面制作直接影响到发射区条宽与外基区表面状况,如果腐蚀不好会引起结漏电,多晶硅n型离子掺杂及退火工艺影响发射区杂质掺杂分布,进而影响器件直流特性,不同金属硅化物会导致接触电阻不同,影响器件射频特性,因此,掌握以上工艺控制方法对成功研制性能优良的SiGe HBT器件具有重要意义。 2 硅发射场的硅技术 2.1 外延工艺和工艺 针对多晶硅发射极台面SiGe HBT器件结构,采用低压化学气相淀