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一种高精度自偏置带隙基准电压源的设计 0 带隙基准电压源的发展 带腔参考电压源广泛应用于模拟电路如a-d、d-a检测器和cd-d检测器。它的精度和稳定性影响着整个芯片电路的性能。因此,设计一个好的带隙基准电压源具有十分重要的现实意义。带隙基准电压源发展至今,已取得了相当的成就,曾有许多经典的电路。如传统的带隙基准电压源,但其温度系数高,电源调整率低,电源抑制比也低。而带隙基准电压源的关键精度指标是温漂和电源抑制能力。传统的带隙基准电压源一般都有放大器反馈,在电流匹配或失调电压上还存在有一定的偏差,本文的设计在这两个方面有较好的改进,提高了精度,实现了较好的温度补偿。 1 带隙基准电压精度的影响因素 双极型晶体管的基极-发射极电压VBE呈负温度系数,而两个工作在不同电流或者不同电流密度时的基极-发射极电压的差值ΔVBE呈正温度系数,于是取: Vref= VBE+ KΔVBE(1) 对其温度求偏导得: ?Vref/?T = ?VBE/?T + K?ΔVBE/?T (2) 令?Vref/?T = 0 ,即得到零温度系数的K值。理论上,可以得到零温度系数的电压即带隙基准电压Vref,实际上在恒定K值条件下由于?VBE/?T是负的变化的温度系数,而?ΔVBE/?T一般是正的不变的温度系数,因此只能实现在某温度条件下的零温度系数,在较大1温度范围内Vref总会有一定的偏差,这个偏差