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一种用于精密电压基准检测的电路 在集成或电子设备中，需要为稳定偏压源提供电压参考电源，并提供参考电压。一般要求这些电压源的直流输出电平较稳定,而且这个直流电平应该与电源和工艺参数的关系很小,但与温度的关系是确定的。 1 基极-发射极电压与vbe的组合关系 晶体管的发射结电压UBE具有负温度系数,而热电压(UT=kT/q)具有正温度系数。对于一个双极器件,流过其集电极的电流IC=ISexp(VBE/VT),其中,饱和电流IS正比于μkTni2,μ为少数载流子的迁移率,ni为硅的本征载流子的浓度。这些参数与温度的关系可以表示为μ∝μ0Tm,其中m?-3/2,并且ni2∝T3exp[-Eg/(kT)],Eg?1.12 eV,为硅的带隙能量。所以: ΙS=BΤ4+mexp-EgkΤ(1)IS=BT4+mexp?EgkT(1) 其中B是一个比例系数。于是可得VBE=VTln(IC/IS)=KT/qIn(IC/IS),在假设IC随温度保持不变的情况下可得: ?VBE?Τ=?VΤ?ΤlnΙCΙS-VΤΙS?ΙS?Τ(2)?VBE?T=?VT?TlnICIS?VTIS?IS?T(2) 又由式(1)可得: ?ΙS?Τ=b(4+m)Τ3+mexp-EgkΤ+BΤ4+m(exp-EgkΤ)(EgkΤ2)(3)?IS?T=b(4+m)T3+mexp?EgkT+BT4+m(exp?EgkT)(EgkT2)