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igb器件栅极短路漏电原因分析 0 双极pnp晶体导通压降低 绝缘体双极体群落（igdt）是一种新型的电磁器。根据设备结构，igdt可以对应于n通道的vdmos和pvm两个极的功率输出，形成一个复杂的功率输出，并将输出阻力vmmo、双向pvm晶的输出阻止功能融为一体。具有导致性强、开关损失低、安全操作面积大、应用可靠性强、电流处理能力强等特点。广泛应用于大型能源电子行业，如电源、电源、交流电机、，输出旁道等。它可以提高供电效率，节省大量能源消耗。它是国家鼓励发展的功率装置。 传统的电力电子器件通常是双极型的,其高压大电流是通过纵向结构来实现,对工艺的精细加工要求不高,而新型的电力电子器件LDMOS,VDMOS和IGBT是通过栅极控制大电流,大电流是成千上万个小的MOS管并联而成,任意一个小的MOS单元的失效都会导致整个器件的失效,对制造过程中的工艺管控要求明显提高。栅极漏电是MOS单元参数失效的主要因素,而且器件的功率越大,并联的MOS单元越多,出现栅极漏电的概率就越大,所以在IGBT芯片制造过程中,栅极漏电的控制是IGBT芯片制造的关键技术。 1 关于igbt的工作原理 IGBT为一个n沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,其器件结构如图1所示,IGBT正面与n沟道增强型的VDMOS结构相似,VDMOS结构中 n+区和p+型区短接形成的源区等效于IGBT的发射极;VDMOS的栅极等效