不同栅型结构igb的短路耐量特性研究.docxVIP

不同栅型结构igb的短路耐量特性研究 igbt的特性 绝缘体衬底（igdt）是一种适用于各种能量转换系统的双极性功率矩阵。由于它具有双极性功率矩阵和功率mosfi，因此它被广泛应用于各种能量转换系统，如电焊接机、开关、旁路控制技术、us间歇性电源、交流电机、频带等。 IGBT从元胞结构上分为平面(planar)型和沟槽(trench)型两种。相比平面型IGBT,沟槽栅IG BT消除了JFET效应,具有更低的集电极-发射极饱和压降VCE(SAT),同时纵向的沟道结构使得元胞面积大幅减小。 另一方面,自1999 年场截止(Field-stop)IGBT概念提出以来,人们通过在器件背面引入轻掺杂场截止层减少通态过程中残留的超量载流子以实现迅速关断,极大地减小了器件的开关损耗,提升了IGBT的性能。 随着IGBT功率控制能力的加强,人们不断地追求器件的低导通压降及低开关损耗,但同时也带来了不利影响:由于饱和集电极-发射极电流密度JC(SAT)的大幅增大,器件的抗短路能力减弱,尤其是IGBT作为电力电子电路的核心元件,器件的短路耐量是评价功率半导体器件可靠性的重要参数。在实际应用中IGBT不仅要工作在正常状态,有时也会工作在一些极端情况下:当发生短路时,IGBT的集电极电流会急剧增大,集电极-发射极电压也会急剧增大,这会带给IGBT毁灭性损坏,因此研究IG-BT短路耐量特性,保证IGBT器