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Shanghai Tianma Micro electronics Co.,Ltd;a-Si LTPS, and process
Key process of LTPS
LTPS process flow;LTPS :Low Temperature Poly-Silicon;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;a-Si TFT LTPS TFT;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;LTPSOLED;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;+ doping;Key process of LTPS;CVD技术;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;去氢工艺;缓冲层作用:;SSiiOO22,, SSiiOO22//SSiiNNxx;四乙氧基硅烷;high cost;TEOS oxide具有低针孔密度,低氢氧含量,良好的台阶覆盖性。;SiNx:;一般采用SiNx,SiO2,而SiO2/SiNx结构可以得到良好的电学特性,和氢化效果;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;结晶技术;ELA (Excimer Laser Annel);晶化效果;Partially melting regime;MICMILC (Metal Induced Lateral Crystallization);SPC(solid phase crystallization);SPC;Comparison of different backplane;离子注入技术;离子注入机离子束呈细线状或点状,难以得到大的电流束,采取扫描方式注入,产能低;通过质量分析装置控制注入剂量,均匀度2%;LDD;? LDD作用:抑制“热载流子效应”;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;Repair broken bonds damaged in ion doping
Increase conductance of doping area;? 氢化处理的目的;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;LTPS的主要设备;O L E D
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Driver area;Gate 刻蚀(干刻);LLDDDD掺掺杂杂;PR;P+ 掺杂;Glass;Glass;通孔刻蚀;通孔刻蚀;SD层(mask;Power↓ Ar ↓
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