LTPS工艺流程与技术.pptxVIP

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Shanghai Tianma Micro electronics Co.,Ltd;a-Si LTPS, and process Key process of LTPS LTPS process flow;LTPS :Low Temperature Poly-Silicon;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;a-Si TFT LTPS TFT;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;LTPSOLED;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;+ doping;Key process of LTPS;CVD技术;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;去氢工艺;缓冲层作用:;SSiiOO22,, SSiiOO22//SSiiNNxx;四乙氧基硅烷;high cost;TEOS oxide具有低针孔密度,低氢氧含量,良好的台阶覆盖性。;SiNx:;一般采用SiNx,SiO2,而SiO2/SiNx结构可以得到良好的电学特性,和氢化效果;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;结晶技术;ELA (Excimer Laser Annel);晶化效果;Partially melting regime;MICMILC (Metal Induced Lateral Crystallization);SPC(solid phase crystallization);SPC;Comparison of different backplane;离子注入技术;离子注入机离子束呈细线状或点状,难以得到大的电流束,采取扫描方式注入,产能低;通过质量分析装置控制注入剂量,均匀度2%;LDD;? LDD作用:抑制“热载流子效应”;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;Repair broken bonds damaged in ion doping Increase conductance of doping area;? 氢化处理的目的;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;LTPS的主要设备;O L E D 蒸镀封装;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.;J;47;玻璃基板;RTA System Overview;沉积缓冲层\有源层;Glass;Glass;P-Si刻蚀(mask1);PR;沟道掺杂;PR;N+ 掺杂(mask3);GATE Insulator;PR;N-channel Driver area;Gate 刻蚀(干刻);LLDDDD掺掺杂杂;PR;P+ 掺杂;Glass;Glass;通孔刻蚀;通孔刻蚀;SD层(mask;Power↓ Ar ↓ 成膜温度↓;SD 干刻;Glass;Passivation层;;平坦化层;像素电极;光刻;反射电极;光刻;电极刻蚀(mask10);;PDL/Spacer层(mask11/12);ITO1电极;PV2电极;ITO2电极;Cell工程;OLED-CELL-MODULE process;QA;SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO.,LTD.

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