光敏二极管和光敏三极管区别.docxVIP

光敏二极管和光敏三极管简介及应用 光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件，与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好， 可靠性好、体积小、使用方便等优。 一、光敏二极管 结构特点与符号  光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线 性半导体器件，但在结构上有其特殊的地方。 光敏二极管在电路中的符号如图 Z0129 所示。光敏二极管使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。 光电转换原理 根据 PN 结反向特性可知，在一定反向电压范围内，反向电流很小且处于饱和状态。此时，如果无光照射 PN 结，则因本征激发产生的电子-空穴对数量有限，反向饱和电流保持 不变，在光敏二极管中称为暗电流。当有光照射 PN 结时，结内将产生附加的大量电子空穴对（称之为光生载流子），使流过 PN 结的电流随着光照强度的增加而剧增，此时的反向电流称为光电流。不同波长的光（兰光、红光、红外光）在光敏二极管的不同区域被吸收形成光电流。被表面 P 型扩散层所吸收的主要是波长较短的兰光，在这一区域，因光照产生的光生载流子（电子）， 一旦漂移到耗尽层界面， 就会在结电场作用下，被拉向N 区，形成部分光电流；彼长较长的红光，将透过 P 型层在耗尽层激发出电子一空穴对，这些新生的电子和空穴载流子也会在结电场作用下，分别到达 N 区和 P 区，形成光电流。波长更长的红外光，将透过P 型层和耗尽层，直接被N 区吸收。在N 区内因光照产生的光生载流子（空穴）一旦漂移到耗尽区界面，就会在结电场作用下被拉向P 区，形成光电流。因此，光照射时，流过 PN 结的光电流应是三部分光电流之和。 二、光敏三极管 变为电能。它具有两种工作状态：  光敏三极管和普通三极管的结构相类似。不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的 PN 结作为感光面，一般用集电结作为受光结，因此，光敏二极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通二极管。其结构 及符号如图 Z0130 所示。 三、光敏二极管的两种工作状态 光敏二极管又称光电二极管，它是一种光电转换器件，其基本原理是光照到 P-N 结上时，吸收光能并转 当光敏二极管加上反向电压时，管子中的反向电流随着光照强度的改变而改变，光照强度 越大，反向电流越大，大多数都工作在这种状态。 光敏二极管上不加电压，利用 P-N 结在受光照时产生正向电压的原理，把它用作微型光电池。这种工作状态，一般作光电检测器。 光敏二极管分有 P-N 结型、PIN 结型、雪崩型和肖特基结型，其中用得最多的是P-N 结型，价格便宜。 光信号放大和开关电路