上海交通大学 Multisim作业题.docxVIP

一、 电流负反馈偏置的共发射极放大电路如图1所示，设晶体管β =100，r =100Ω 。 计算电路的电压增益A  =v /v ,输入电阻R 及输出电阻R ； bb’ us o s i o 研究耦合电容、旁路电容对低频截止频率f 的影响： L ①令C ，C 足够大，计算由C 引起的低频截止频率f ； 2 E 1 L1 ②令C ，C 足够大，计算由C 引起的低频截止频率f ； 1 E 2 L2 ③令C ，C 足够大，计算由C 引起的低频截止频率f ； 1 2 E L3 ④同时考虑C ，C ，C 时的低频截止频率f ； 1 2 E L RS 200Ω  RB1 100kΩ C1 3.3μF RB2  RC 3.3kΩ C2 3.3μF C +Vcc (12V) + Vo RL +20kΩ RE + V1kΩ V S - E 50μF kΩ - 图1 电流负反馈偏置共发射极放大电路 （3）采用图1所示的电路结构，使用上述给定的晶体管参数，设R =3kΩ ，R =100Ω ,设计其它电路元件参数，满 L S 足下列要求：A ≥40，f ≤80Hz。 us L 二、如图2所示电路是一个低频功率放大电路，Q =100，I =1×10-15A 。 ，Q 为大功率管。设Q ，Q 的 =50，I =1×10-14A；Q ~Q 的 β β β β S 调节电阻R 及R 1  使静态时V 5  ≈V A CC  /2,I C6  ≈I ≈10mA。 C7 输入信号为f=1kHz的正弦波，求电路最大输出电压的幅度及最大输出功率。 为使负载获得最大功率，激励信号的幅度应是多少？若电容C 因损坏而开路，它对电压增益及最大输出电压 2 幅度有何影响？ 求电路的下限截止频率f 。 L R3 R 3 C 1.3kΩ R4 680Ω 2 Q 4 470μF R* 5 Q6 D1 R 7 360Ω R9 0.5Ω A R* 1 D1 Q5 C1 10μF Q R L 1 Q7 8Ω R2 4.7kΩ R6 100Ω R 8 360Ω R10 0.5Ω + V+ V o Vi - - 图2 三、差动放大电路如图3所示。设各管参数相同，? ? 120 ，r bb  ? 80? ，C  b?c  ? 1pF ，f T  ? 400MHz ，V A  ? 50V 。 输入正弦信号。 o设v ? ?v （差模输入），求A ? v 1 o i1 i 2 uD1 v ?  ， A ???o2 ， A ? vuD2 uD v  v ? v o1 o2  的幅频特性，确定 低频电压增益值及f ，观察v 的值。 H e v i1 i 2 v v ? v i1 i 2 v v ? v i1 i 2 v ? v 设v ? v ? v （共模输入），求A ? i i1 i 2 vC1 增益值，并观察v 的值。 AvD A vD1 A vC1 o1 ， A ? v vC 2 i o2 及A ? v vC i o1 o 2 v i 的频响特性，确定其低频 求K ? CMR 的频响特性，确定K  CMR 的截止频率f  CMR ，并对此加以讨论。 设R E 3 ? 0 ， R 2 ? 0 ，调节R 1 ，保证Q ， Q ， Q 1 2 3 的I 不变，求此时K CQ  CMR 的频响特性。 RC1 R 3kΩ VVQo1 V V Q Vi1 1 V o  C2 R3kΩ R QVVo2 Q V V 2 i2 CC +V(+12V) +V QR1 Q R 4 10kΩ -VR R -V 1kEΩ3 2k2Ω EE (-12V) 图3差动放大电路 四、图4所示CMOS集成运放5G1457的原理图。各MOS管的W / L （为沟道宽度和长度）已标在图中，MOS管使用Multisim 软件中晶体管库中“ TRANSISTOR_VIRTUAL中的MOS_4TEN_VIRTUAL\MOS_4TEP_VIRTUAL”，W/L 可以根据图示直接修改，并修改使CGSO=5e-12，CGDO=5e-12、 CGBO=5e-12，（在元件属性直接修改模型参数） ，其余使用缺省值。 设vI1=0同相输入端加直流扫描电压V1，求电路的直流传输特性，确定输入失调电压VIO、运放工作在线性状 态下的最大输入电压以及输出电压摆幅； 同相输入端加合适的补偿电压，使运放静态输出电压近似为零，求该条件下电路的静态工作点； 在上述偏置条件下，作交流小信号分析，求开环差模电压增益AvD,上限截止频率fH及单位增益带宽BWG； 将输出端与反相输入端相连，同相输入端施加大幅度脉冲信号，输出端接负载电阻 RL=100KΩ，负载电容CL=