基于聚焦离子束刻蚀石墨烯纳米带阵列的场效应晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-08-30 发布于四川
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基于聚焦离子束刻蚀石墨烯纳米带阵列的场效应晶体管及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于聚焦离子束刻蚀石墨烯纳米带阵列的场效应晶体管制备方法。首先在绝缘衬底上制备栅电极，再制备栅介电层覆盖在栅电极上，之后在栅介电层上制备源电极和漏电极，石墨烯微米带沟道位于源电极和漏电极之间，最后通过聚焦离子束技术在石墨烯微米带沟道上刻蚀纳米带阵列，得到带有石墨烯纳米带阵列的场效应晶体管。该方法制备的场效应晶体管具有高的开关比，其中在30×5μm的石墨烯沟道刻蚀5条宽度为约60nm、长度为约22μm的纳米带阵列的场效应晶体管开关比达到4709。本发明基于聚焦离子束在石墨烯微米带沟

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116666207 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310734611.8 (22)申请日 2023.06.20 (71)申请人重庆大学地址 400044