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微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano TechnologyMEMS工艺——半导体制造技术WWW.NUC.EDU.CN梁 庭 3920330(o)Liangting@ 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano Technology主要内容掺杂技术、退火技术表面薄膜制造技术光刻技术金属化技术刻蚀技术净化与清洗接触与互连键合、装配和封装WWW.NUC.EDU.CN 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano Technology集成电路制造过程WWW.NUC.EDU.CN 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano Technology一、 掺杂与退火WWW.NUC.EDU.CN掺杂定义：就是用人为的方法，将所需的杂质（如磷、硼等），以一定的方式掺入到半导体基片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要求的分布，以达到改变材料电学性质、制作PN结、集成电路的电阻器、互联线的目的。掺杂的主要形式：注入和扩散 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano Technology退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。目的：激活杂质消除损伤结构释放后消除残余应力退火方式：炉退火 快速退火WWW.NUC.EDU.CN 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano Technology1.扩散工艺定义：在一定温度下杂质原子具有一定能量，能够克服阻力进入半导体并在其中做缓慢的迁移运动。形式：替代式扩散和间隙式扩散恒定表面浓度扩散和再分布扩散WWW.NUC.EDU.CN 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano Technology替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位：Ⅲ、Ⅴ族元素一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙：Na、K、Fe、Cu、Au 等元素扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级WWW.NUC.EDU.CN 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano Technology扩散工艺主要参数WWW.NUC.EDU.CN结深：当用与衬底导电类型相反的杂质进行扩散时，在硅片内扩散杂质浓度与衬底原有杂质浓度相等的地方就形成了 pn结，结距扩散表面的距离叫结深。薄层电阻Rs（方块电阻）表面浓度：扩散层表面的杂质浓度。 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano Technology扩散的适用数学模型是Fick定律式中：F 为掺入量D 为扩散率N 每单位基底体积中掺入浓度WWW.NUC.EDU.CN 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano Technology扩散方式WWW.NUC.EDU.CN液态源扩散：利用保护气体携带杂质蒸汽进入反应室，在高温下分解并与硅表面发生反 应，产生杂质原子，杂质原子向硅内部扩散。固态源扩散：固态源在高温下汽化、活化后与硅表面反应，杂质分子进入硅表面并向内部扩散。 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano TechnologyWWW.NUC.EDU.CN 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano TechnologyWWW.NUC.EDU.CN 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano TechnologyWWW.NUC.EDU.CN 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano Technology液态源扩散硼B扩散源：硼酸三甲酯，硼酸三丙酯等扩散原理：硼酸三甲酯500 C分解后与硅反应，在硅片表面形成硼硅玻璃，硼原子继 续向内部扩散，形成扩散层。WWW.NUC.EDU.CN 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano Technology扩散系统：N2气源、纯化、扩散源、扩散炉扩散工艺：预沉积，去BSG，再分布工艺条件对扩散结果的影响气体流量、杂质源、温度WWW.NUC.EDU.CN 微米纳米技术研究中心stitute of Micro and Nano Technology液态源扩散WWW.NUC.EDU.CN扩散原理：三氯氧磷600 C分解后与硅反应，在硅片表面形成磷硅玻璃，磷原子继续向内 部扩散，形成扩散层。扩散系统：O2和N2气源、纯化、扩散源、源冷却系统、扩散炉扩散工艺：预沉积，去PSG，再分布磷P扩散源