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薄势垒增强型器件的制备与特性分析的中期报告 中期报告： 1.制备过程：我们采用了化学气相沉积法制备薄势垒增强型器件。首先，在蓝宝石衬底上生长了一层AlN缓冲层，然后在缓冲层上沉积了一层高纯度的AlGaN薄膜。接着，在AlGaN薄膜上通过选区性腐蚀法刻蚀出具有高锥度的AlGaN纳米线结构。最后，在AlGaN纳米线上通过介电贴膜和电极沉积制备出了最终的薄势垒增强型器件。 2.特性分析：经过测试，我们发现，制备出的薄势垒增强型器件具有以下特性： （1）具有明显的负差分电阻特性：在一定电压范围内，器件的电流随电压的变化呈现出负斜率，即具有负差分电阻特性。这说明制备出的器件具有优良的电子输运性能。 （2）具有较好的零偏电流和峰值电流：在测试过程中，我们发现薄势垒增强型器件的零偏电流很小，通常在nA级别，而峰值电流可达到几十μA级别。这表明器件具有良好的稳定性和可控性。 （3）具有明显的紫外光电响应：在紫外光照射下，器件的电流明显增大，这表明制备出的器件具有良好的光电转换性能。 综合以上特性分析，我们认为制备出的薄势垒增强型器件具有较好的电子输运、稳定性、可控性和光电转换性能，有望在光电子器件领域得到广泛应用。