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射频电路辅助分析第二章学习笔记 第二章 微波半导体器件及应用 第一节 微波半导体器件及模型概述 目前，应用于微波及超高速集成的砷化镓为衬底的有源器件主 要有：砷化镓场效应管(GaAs MESFET) 、高电子迁移率晶体管（ HEMT）、异质结 极 体管 异质结双极晶体管（HBT）、砷化镓IMPATT二极 管和Gunn管、 砷化镓肖特基势垒二极管、变容二极管和PIN管等。 准静态法： 在具体使用某种分析方法计算微波有源电路特性时，必须作准静 态假设，即要求有源器件中的所有非 线性元件 即要求有源器件中的所有非线性元件 （如电容和跨导 ）的参 数应与一个或多个控制电压或电 流同时变化。 实验证明，在频率高达100GHz时仍可认为非线性元件是准静态的， 因此，准静态模型可以应用于 100GHz以上的频率 。 准静态法的优点是，固体器件的小信号模型可以很方便地变换为大信号模型 、采用集总参数模型比采 用二端口参数 采用集总参数模型比采用二端口参数 （如线性电路的 S 参数、Y参数等）描述固体器件的 小信号特性要简单一些，因为后者需要大量的测量数据。在小信号模型的基础上，如果计入电路元件的 电 或电流依赖关系 电 压或电流依赖关系，并把模型拓扑作少许变化 并把模型拓扑作少许变化，就 可以 很容易地将它变换为固体器件的大信号模型。 固体器件模型应满足一定要求： 1.它应具有足够的精度 2.在保证足够精度的前提下，模型越简单越好。 3.必须能够比较容易确定模型的有关参数。 微波器件的计算机辅助测量建模 微波器件的计算机辅助测量建模，即通过对器件的直流、高频和 微波特性的测量，确定等效电路拓扑及 其元件参数，是微波CAD的重要环节 。 建模工作的基本思想比较简单，就是要寻求一种模型，使得由模 型计算出的响应与实测的相差最少 。 这里涉及模型选取、测量方法和参数提取三方面的问题 。 模型选取： 参数化行为模型 、 图表模型 、 准静态集总参数等效电路模型 测量方法：包括直流、脉冲、高频和微波测量多种 。微波测量 主要是利用网络分析仪，获取器件线性等 效电路的网络参数。直流、 脉冲和高频测量是为了获取器件的直流特性和非线性特性。最新的 NVNA可 以提供非线性参数——X参数（Keysight的PNA-X系列矢量网 络分析仪）。 参量提取：参数提取与测量方法有密切关系 参数提取与测量方法有密切关系。   有序建模的优化方法 其要点是从一个简单的基本模型结构开始，按规定序列 增加 些对改善器件与模型之间匹配最有效的元件 参量 一些对改善器件与模型之间匹配最有效的元件参量，自动优化 迭代，直到获得满意的匹配和不需再 增加元件为止。 实现这种有序建模，有两个前提条件：一是要有广泛的参考模 型可供选用；二是要求掌握或能及时计算 出模型响应与诸等效电路 参量之间的关系。   第二节 金属-半导体结二极管 混频与检波，都是一种频率变换的过程。 为了实现混频与检波，必须采用非线性电阻元件，即所谓变阻管 。 可以作为变阻管的有点接触二极管、 肖特基表面势垒二极管、反向二 极管等。 一、金属—半导体结二极管的特性 1.伏安特性 根据简化的热电子发射理 论，在平衡状态下，由半导体流向金属的电子流密度为： 流过二极管的电流等于电流密度乘以结面积A ，所以 式中，Isa 叫反向饱和电流。它决定于金属－半导体结的 性质和温度 与外加电压几乎无关 。 2.势垒电容 金属-半导体结和PN结相似，势垒区相当于一个容纳有正负电荷的 电容（空间电荷区，其介绍见第三 节），这个电容叫做势垒