电力电子器件章演示文稿.pptVIP

当前第31页\共有63页\编于星期六\8点 电导调制效应: 正偏PN结注入的额外载流子浓度（少子），远远高 于被注入区的平衡少子浓度，使该区电阻率下降。 结论2: 正偏稳态P+N 结突然反偏: 大量的少子因反向而形成瞬时大反向电流， （强空间电场对少子抽取），少子被抽取至平衡 浓度时，大的反向电流恢复至反向饱和电流值I0 。 P+N结由正偏至反偏关断的I-V瞬态曲线: 当前第32页\共有63页\编于星期六\8点 当前第33页\共有63页\编于星期六\8点 存储时间ts、下降时间tf、反向恢复时间 toff = ts + tf 。 ， N区中少子空穴寿命（?p）越长?少子复合消失越慢? 存储时间（ts）越长。 IF/IR越高?正向注入多（IF大）； 反向抽取弱（IR小）?存储时间（ts）越长。 3. 高频电力电子器件: 掺入特殊杂质（金）或电子辐照，以缩短少子寿命。 当前第34页\共有63页\编于星期六\8点 第三章 半导