温度和掺杂含量对有机硅弹体_八乙烯基-笼型倍半硅氧烷纳米复合材料绝缘性能的影响.pdfVIP

2023 年 3 月 电 工 技 术 学 报 Vol.38 No. 5 第 38 卷第 5 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Mar. 2023 DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.221262 温度和掺杂含量对有机硅弹体/八乙烯基-笼型 倍半硅氧烷纳米复合材料绝缘性能的影响 1,2 1,2,3,4 1 1 2 王启隆 陈向荣 张添胤 王恩哲 任 娜 （1. 浙江大学电气工程学院 杭州 310027 2. 浙江大学杭州国际科创中心 杭州 311200 3. 浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室（浙江大学杭州科创中心） 杭州 311200 4. 浙江大学先进电气国际研究中心 海宁 314400 ） 摘要 为了研究温度和掺杂含量对有机硅弹体/ 八乙烯基-笼型倍半硅氧烷（SE/OV-POSS ）纳 米复合材料绝缘和热学性能的影响，该文制备了纯有机硅弹体及不同掺杂含量的SE/OV-POSS 纳 米复合材料，对材料进行了SEM 断面形貌表征、傅里叶红外光谱测量、热重分析、交联度实验、 热刺激去极化电流测试、不同温度下介电谱和直流电导率测量，以及不同电场强度下的量子化学 计算，分析了掺杂含量对SE/OV-POSS 纳米复合材料交联网络的影响，以及温度对纳米复合材料 电荷传输的作用机制。结果表明：掺杂质量分数为3% 的OV-POSS 可以与有机硅弹体基体形成密 集的交联网状结构，有效抑制基体分子长链段发生介电弛豫运动，使纳米复合材料的热分解温度、 交联度、α 弛豫温度和陷阱能级显著增大；在20 ℃和 120℃下，OV-POSS 的未反应乙烯基和无机 内核在纳米复合材料中分别起到深电子陷阱和深空穴陷阱作用，阻碍电极注入的载流子在材料内 部传输，导致纳米复合材料的直流电导率小于纯有机硅弹体；然而在 220 ℃下，纳米复合材料内 部的大量热电子激发导致其绝缘特性的劣化。上述研究结果表明，适量掺杂的OV-POSS 可以有效 提升有机硅弹体在20 ℃和 120℃下的绝缘性能。 关键词：有机硅弹体 八乙烯基-笼型倍半硅氧烷（OV-POSS ） 纳米复合材料 绝缘性能 温度 中图分类号：TM211 0 引言 损耗和直流电导率具有重要的实际意义。 有机硅弹体（Silicone Elastomer, SE ）可以在高 近年来，大功率电力电子模块不断向大电流、 高电压和小型化方向发展[1] 。大电流和小型化趋势 温下长期工作，相比于聚酰亚胺、苯并环丁烯和氰 酸酯树脂等高温聚合物，有机硅弹体不仅具有低储 导致大功率电力电子模块内部热应力集中，设备运 能模量和低硬度，对模块其余组件产生的热机械应 行时产生大量热量，对封装材料的耐高温特性产生 [4] 力较小 ，而且在灌封过程中具有优异的流动性和 较高的要求。此外，大功率电力电子模块可工作在 [5] 黏性，在固化过程中无体积收缩 ，因此，有机硅弹 交流或直流工况，高电压和小型化趋势导致模块内 体是高温封装的首选，对于有机硅弹体用于大功率 部电应力集中，尤其