一种半导体结构及制造方法.pdfVIP

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2023-09-07 发布于四川
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一种半导体结构及制造方法.pdf

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本发明揭示了一种半导体结构及制造方法，包括：S1、提供基板；S2、在所述基板的表面安装双排铜柱以及工作元件，所述双排铜柱顶端由连接件结合；S3、进行封装，形成封装层，所述封装层覆盖所述基板、所述双排铜柱以及所述工作元件；S4、减薄所述封装层以及所述连接件，暴露出所述双排铜柱。通过将铜柱改换为双排铜柱，增加了注塑时的阻力，使得双排铜柱有更大的的支撑力，不容易在注塑时因受到太大的阻力而倾斜或倾倒，提高半导体结构的生产质量。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116705623 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310800168.X (22)申请日 2023.07.03 (71)申请人无锡摩尔精英微电子技术有限公司地