一种半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-09-07 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法.pdf

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本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括一基底，所述基底具有一沟槽，所述沟槽具有横向延伸突出的尖端；形成于所述基底上的若干个栅极结构，所述沟槽与相邻的所述栅极结构之间的距离大于所述尖端的横向延伸长度，且所述尖端与相邻的所述栅极结构之间的横向距离为27埃～33埃；以及，填充所述沟槽的锗硅外延层，所述锗硅外延层包括自下而上依次堆叠的缓冲层、主体层和盖帽层，所述缓冲层、所述主体层和所述盖帽层中掺杂有硼，且硼的浓度依次递减。通过控制所述尖端与所述栅极结构之间的横向距离以增加压应力，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116705839 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310780520.8 (22)申请日 2023.06.28 (71)申请人上海华力集成电路