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gra-phen的结构和原子动态过程
1 ghpen重点发展在ghpen结构观
尽管石墨烯只有单原子层厚度,但这种二维材料保持了接近完美的结晶结构和高度的稳定性,显示了许多奇怪的性质,如无质量迪拉姆、波束输运、温室体积霍尔效应等。目前,它对纳米电子、自旋电子和高频通信等行业具有广阔的应用前景。
随着研究的不断深入, 对Graphene原子结构和微观形貌的研究显得越来越重要.在其发现之初, 人们对Graphene结构的研究主要借助于光学显微镜和扫描探针显微镜, 已取得了一系列研究成果;同时, 由于这两类仪器本身的特点, 研究工作也受到了一些局限.透射电子显微镜 (TEM) 技术是表征微观结构的重要手段之一.利用TEM不仅可以得到样品的高分辨电子显微像, 同时, 利用电子衍射, 还可以得到样品倒易空间的信息.Graphene的透射电子显微学研究已经取得了一些令人瞩目的成果[18,19,20,21,22,23,24,25,26,27,28], 发现了Graphene原子结构和表面形貌的一系列特征, 为Graphene的微观动力学研究开启了一扇大门.本文评述了Graphene的透射电子显微学研究成果, 并介绍了利用高分辨TEM技术对Graphene原子结构进行研究的最新进展.
2 ghpen“代金观”的研究
尽管Graphene最近几年才被发现, 但这种二维晶体其实离人们的生活并不遥远.铅笔笔芯中的石墨就是由Graphene堆积而成的.当用铅笔在纸上书写时, 笔芯中的部分石墨层与层间被剥离开来, 在纸上留下了众多的石墨片.如果细心寻找的话, 在这其中不乏少层甚至单层的Graphene.也就是说, 每天都有不计其数的Graphene随着人们的书写, 在不经意间被“制备”出来.
在实验上, 这种“广泛存在”的二维晶体直到2004年才被英国曼彻斯特大学的科学家K.S.Novoselov等人用机械剥离的方法第一次制备并分辨出来.
Graphene“姗姗来迟”的一个原因是因为这种材料只包含一个原子层, 使其非常不易分辨.在光学显微镜下, 只有当Graphene被置于特殊的硅衬底 (300 nm氧化层厚度) 上时, 才可以将其观察到.而利用扫描探针显微镜, 由于其扫描范围的限制, 无法进行较大面积的搜索.所以, 尽管Graphene每天都被大量的“制备”出来, 却一直没有被发现.
Graphene迟迟没有被发现的另一个原因是, 理论预言完美的二维晶体在热力学上是不稳定的.在有限温度下, 热扰动会破坏其长程有序性, 使完美的二维晶体“熔化”.二维的单原子层薄膜只能作为三维结构的一部分而存在, 例如在晶格匹配的单晶表面作为外延层存在, 而一旦从三维结构上剥离下来, 为了获得热力学稳定态, 二维晶体会自然地发生卷曲, 形成类似于富勒烯和碳纳米管的结构.因此, 一直以来Graphene仅仅被人们作为研究碳基材料的一种理论模型而存在.
然而, 这种理论中的二维晶体, 却在实验中被科学家们制备出来了.起初观察到的Graphene一般是依附在衬底 (SiO2等) 表面存在的.随着制备和表征技术的发展, 2006年, J.C.Mayer等人在TEM中对Graphene进行研究, 首次观察到了悬空的Graphene (见图1) , 证明了不依附于衬底的自由二维晶体也是可以稳定存在的.他们通过对Graphene结构进行电子衍射研究, 揭示了Graphene的一个重要形貌特征:Graphene并非一个绝对平整的二维平面, 而是存在山丘状的起伏, 这种二维晶体的存在方式同理论预言相符.对Graphene的这一透射电子显微学研究成果, 使我们对Graphene的结构有了更深入的认识, 为进一步的理论和实验研究打下了基础.
3 g5.1ghpen的电子衍射特征
层数、堆垛方式、取向以及表面形貌是Graphene最基本的微观形貌特征.电子衍射是目前标定Graphene的这些形貌特征最常用、最有效的方法.
3.1 电子束入射角对层数的影响
层数是Graphene各种性质的决定性因素之一.通常认为, 只有层数在10层以下的石墨才可以被看作是二维结构, 冠以“Graphene”的称谓.其中单层Graphene为零带隙半导体, 其能带结构相对简单, 价带与导带在K和K’处交于一点, 附近载流子满足线性色散关系, 其行为要用狄拉克方程描述.双层Graphene虽然仍是零带隙半导体, 但电子能量与动量之间不再表现出线性关系.而对于三层或更多层的Graphene, 其能带结构变得较为复杂, 价带与导带开始出现明显的交叠.
要标定Graphene的层数, 在TEM中, 一方面可以通过其边缘或褶皱处的高分辨透射电子显微像 (图2 (e) , (f) ) 进行标定;另一方面, 通过电子衍射,
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