氮化物半导体薄膜的制备及其场发射性能研究的中期报告.docxVIP

氮化物半导体薄膜的制备及其场发射性能研究的中期报告 本研究旨在制备氮化物半导体薄膜，并研究其场发射性能。本报告为中期报告，详细介绍了制备氮化物半导体薄膜的方法以及已经完成的实验结果。 制备氮化物半导体薄膜的方法： 使用射频磁控溅射的方法制备氮化物半导体薄膜，具体步骤如下： 1. 在真空室内放置氮化铝（AlN）靶和氮化硅（SiN）靶。 2. 把气压降低到10-6托，并加热薄膜基底至200℃。 3. 使用射频功率和氩气流量控制氮化物的沉积速率，使氮化物薄膜在薄膜基底上均匀沉积。 4. 用扫描电子显微镜（SEM）检查薄膜的表面形貌和厚度。 实验结果： 进行实验后，得到了氮化铝（AlN）和氮化硅（SiN）薄膜，其表面形貌以及厚度分别为： 氮化铝（AlN）薄膜表面形貌呈晶粒状，平均厚度为500nm。 氮化硅（SiN）薄膜表面形貌呈均匀覆盖状，平均厚度为300nm。 下一步的实验计划： 对制备出的氮化物半导体薄膜进行场发射性能测试，以评估其适用于电子场发射应用。同时，还将进行多种表征测试，如X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM），以进一步了解薄膜的微观结构和性能。