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一种电压控制的宽光谱锗硅探测器及其控制方法.pdfVIP

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  • 2023-09-09 发布于北京
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一种电压控制的宽光谱锗硅探测器及其控制方法.pdf

    本发明公开了一种电压控制的宽光谱锗硅探测器及其控制方法，所述锗硅探测器包括自下而上依次设有的半导体衬底、P型重掺杂硅层、I型非掺杂本征硅层、N型重掺杂硅层、非掺杂本征锗层、P型重掺杂锗层，所述P型重掺杂硅层上设有与P型重掺杂硅层相连的金属接触电极一，所述P型重掺杂锗层上设有与P型重掺杂锗层相连的金属接触电极二，所述锗硅探测器在器件有源区形成PINIP型整体掺杂结构。将宽光谱光源垂直入射锗硅探测器根据入射波长光源不同被锗材料或硅材料吸收光子，通过控制锗硅探测器外部施加电压选择硅‑PIN光电探测器结

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116722061 A (43)申请公布日 2023.09.08 (21)申请号 202211411194.5 (22)申请日 2022.11.11 (71)申请人 之江实验室

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