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本发明公开了一种用于晶圆片背胶清洗的加工方法，包含以下步骤：a、将晶圆片放入带有超声的柠檬酸溶液中浸泡，b、晶圆片放入纯水中溢流，c、利用甩干机甩干晶圆片，d、晶圆片单片预清洗，e、晶圆片单片清洗，本发明的优点在于不需要通过擦拭的方式去除背胶，避免了划痕的产生，大大的节约了因划痕导致CMP返工所产生的费用。晶片保护膜保护了晶片，避免了划痕、颗粒、有机物对表面的伤害及污染，本发明解决了撕下保护膜后留下的背胶清洗问题，有利于晶片防护的推广，有利于晶片有效使用面积的提升，有利于半导体行业的进步。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116721907 A
(43)申请公布日 2023.09.08
(21)申请号 202310792500.2
(22)申请日 2023.06.30
(71)申请人 安徽微芯长江半导体材料有限公司
地
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