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* 第六十二页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 4、表面复合 表面越粗糙,载流子寿命越短. 机理: 表面越粗糙,表面包含的杂质或缺陷越多, 它们在禁带中形成复合中心能级(表面电子能级), 促进间接复合. 考虑到表面复合后的总复合几率： 设?V、?S分别为体内复合的寿命和表面复合的寿命 实验现象: 第六十三页，共一百零七页，2022年，8月28日 * (?p)S 为表面处非平衡载流子浓度；S为常数，称之为表面复合速度。 实验表明： 定义表面复合率US：单位时间内通过单位表面积复合掉的电子-空穴对数。 第六十四页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 5. 俄歇复合 载流子复合时，其产生的能量 传递给另一个载流子，使这个载流子激发到更高的能级。当此载流子重新回到低能级时，把能量传递给晶格，即以声子的形式释放能量。 俄歇复合：在重掺杂半导体中，俄歇复合是主要的复合机制。 第六十五页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 6. 俘获截面* 假设复合中心为截面积 为的球体, 则俘获系数与俘获截面的关系为： 设， ?-为电子俘获截面， ?+为空穴俘获截面 ?的意义：复合中心俘获载流子的本领 第六十六页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 复习: 非平衡载流子的复合的方式: 直接复合: 载流子的产生率和复合率 r为电子-空穴复合几率 撤销非平衡条件后,通过直接复合的产生的载流子的净复合率: 通过直接复合的消失的非平衡载流子的平均寿命： 第六十七页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 间接复合: 间接复合的四个微观过程: 甲：俘获电子。复合中心能级从导带俘获一个电子； 乙：发射电子。复合中心能级上的电子被激发到导带；（甲的逆过程） 丙：俘获空穴。电子由复合中心落入价带与空穴复合。 丁：发射空穴。价带电子被激发到复合中心能级。（丙的逆过程） 第六十八页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 电子俘获率Rn: (rn为电子俘获系数) 电子产生率Gn： (非简并情况，导带基本空着） s- ：电子发射系数 式中 n1恰好等于费米能级与复合中心能级重合时导带的平衡电子浓度。 (复习完) 第六十九页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 杂质和缺陷能级的主要作用： 起施主或受主作用 起复合中心作用 起陷阱效应作用 5.4 陷 阱 效 应 第七十页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 1. 陷阱效应： 第七十一页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 2. 陷阱效应的分析 在间接复合理论中，稳态复合情况下，复合中心上的电子浓度为： 显然，其与非平衡载流子浓度有关。 电子浓度和空穴浓度对nt的影响是相互独立的。 由于复合中心有着陷阱中心相似的作用,即也能积累非平衡载流子,因此可以借助前面的间接复合中心理论来分析陷阱中心的载流子情况. 第七十二页，共一百零七页，2022年，8月28日 * (1)平衡态 第七十三页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 只考虑△n 的影响，则有： (偏微分取值对应于平衡值) 由于电子和空穴对nt 的影响是相互独立的，因此小注入情况下，复合中心上积累的非平衡载电子浓度可写为： (2)非平衡态,小注入 第七十四页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 首假设对电子和空穴的俘获能力相近，即： 上式中第二个因子总是小于1,因此要使?nt与?n可以相比拟,除非Nt可以与平衡载流子浓度之和(n0+p0)可以相比拟,否则没有明显的陷阱效应的. ?nt 表达式可以改写为: 也说明在电子和空穴的俘获能力相近时，不容易产生明显的陷阱效应。 第七十五页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 1、载流子的复合形式： 电子在导带和价带之间直接跃迁而产生复合 电子和空穴通过禁带的能级进行复合 直接复合： 间接复合： a 直接复合； b 体内间接复合； c 表面间接复合。 复合中心 表面 a b c Ec Ev § 5.3 非平衡载流子复合 第三十页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 载流子复合能量释放形式： 发射光子-----辐射体外（辐射复合） 发射声子----以发射声子形式传递给晶格 Auger复合----作为动能，传递给其它的载流子 第三十一页，共一百零七页，2022年，8月28日 * 不同状态时，载流子的产生率和复合率统计比较： 载流子的产生率G： 载流子的复合率R： 热平衡态 产生率＝复合率 注入过程 注入稳定 产生率＝复合率 n、p 增加 产生率 复合率 n、p 稳定 注入撤销 产生率 复合率 n、p 减小 恢复平衡态 产生率＝复合率 第三十二页，共一百零七页，2022年，8月28日 *