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集成电路结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-09-13 发布于四川
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集成电路结构及其制造方法.pdf

    一种制造集成电路(IC)结构的方法包括在第一半导体衬底的第一前侧上形成第一IC器件并且在第二半导体衬底的第二前侧上形成第二IC器件；从第一前侧在第一IC器件上方形成第一接触焊盘，并且从第二前侧在第二IC器件上方形成第二接触焊盘；将第一接触焊盘和第二接触焊盘接合，以使得第一IC器件和第二IC器件电连接；以及在第一半导体衬底的第一背侧上形成导电结构。导电结构包括贯通孔(TV)、背侧金属(BSM)部件和背侧再分布层(BRDL)。TV延伸穿过第一半导体衬底，并且将第一IC器件和第二IC器件电连接至BRD

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116741743 A (43)申请公布日 2023.09.12 (21)申请号 202310550095.3 H01L 23/538 (2006.01)

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