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本发明提供一种提高晶棒轻、重掺杂效率的方法，涉及晶棒掺杂方法技术领域，在化料结束后，打开单晶炉副炉室，将掺杂剂装入容纳筒体中，所述防挥发盖体盖合在所述筒体的开口上，通过挂接组件挂在单晶炉重锤上，关闭副炉室，对副炉室进行净化，净化后打开隔离阀，将炉压稳定；下降晶升，当容纳筒体的下沿距硅溶液液面预定距离后停止下降，进行掺杂，使得掺杂剂升华或液化直接通过挥发孔进入硅溶液中，防止被炉内的气流抽走，进而掺杂效率提高，拉制成晶棒后的电阻率降低。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116732602 A
(43)申请公布日 2023.09.12
(21)申请号 202310926832.5
(22)申请日 2023.07.26
(71)申请人 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
地
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