功率半导体--复习资料.doc

一、功率半导体的分类 按控制方式分类： 1、 不控型：两端器件，无控制端控制其通断。如：肖特基p-i-n二极管PiN、肖特基势垒二 极管SBD PiN：可以实现电流特性与击穿特性的折中，但正向特性很难与开关速度折中。 SBD：无少子存储效应，开关速度很快，但正向特性难与击穿特性折中。 2、 半空型：三端器件，控制端可以控制器件的开启，但不能控制器件的关断。如传统结构 的晶闸管。 3、 全控型：控制端可以控制器件的通断。 按控制类型分类可分为：电流控制（双极结型晶体管BJT,门极可关断晶闸管GTO） 与电压控制（VDMOSEFET,静电感应晶体管SIT）;电流控制需要较大的驱动功率，而且速 度相对较慢；电压控制需要的功耗较低，而且速度较快。 按运输方式分类可以分为：少子器件（双极型）和多子器件（单极型）。少子器件 更容易实现大功率（但功率难于开关速度折中）；而多子器件具有较快的开关速度（但 正向特性难与击穿电压折中） 4、 复合型器件：采用电压作为控制极，采用少子器件作为输出级，结合两种器件的有点， 如绝缘栅双极晶体管IGBT等。 二、功率半导体器件的工艺 大电流的实现 电流=电流密度*面积（I=J*A）。瞒J的上升容易引起有源区升晶。往往采用增加面积 A的方法实现大电流I。 因此需要制备有源区电流密度J尽量均匀的材料和器件。如果局部电流密度J过大，容易造 成热击穿。在这方面多子器件比少子器件有优势。 高压击穿电压（虬） 对于一维情况和指定的半导体材料，高压击穿电压VB主要与掺杂浓度和耗尽层厚度有 关。随掺杂浓度的降低而上升。如果耗尽层厚度不够，容易发生穿通。 实际结构的器件，往往在掺杂结的弯曲部分和电极的边缘等处存在电场集中效应，从而降低 击穿电压VB。为了让器件获得理想的击穿电压，需要在器件的有源区周围制备结终端。保 护环，场板等结构，还有表面造型等。原理是让电压分布尽可能的均匀，接近一维的理想情 况。但会造成器件的面积增加，从而提高成本。 开关速度 对于少子功率器件，为了减小通态功耗，需要一个较长的少子寿命以获得更强的电导调 制效应。而为了较快的开关速度，需要一个较短的少子寿命以复合掉存储的少子。 获得长寿命少子的方法是制备晶格结构尽可能理想的半导体材料，减少掺杂与污染。 获得短寿命勺少子的方法是掺入深能级杂质和高能粒子辐射。原理是引入复合中心。 三、PN结相关知识 温度特性 PN结工作温度的上升会导致其正反向电流和击穿电压的增加 当PN结工作时，如果散热不理想，器件就会升温；从而导致电流的进一步上升，进 一步增加功耗，形成功耗与温度的正循环，从而形成热击穿。 电容特性 PN结的电容有两部分组成：势垒电容（由空间电荷区电荷提供）和扩散电容（由少子提供） 在PN结较大正偏时，主要扩散电容起作用，即正偏时PN结中存储大量的少子，所以PN 结由正偏转向反偏时需要释放掉存储的少子。这是器件关断时间比开启时间长的原因。 PN结瞬态特性 PN结可以看成电容，其端电压由存储的电荷决定。当器件两端存有少子时为正偏压， 当发生少子抽取时为反偏压。 当外加偏压改变时，由于电容效应，PN结的端电压不会立即改变，需要完成电荷的存 储与释放后形成另一个稳态。 当外加偏压从正向转为反向时，PN结需要将正向注入的少子复合完毕后，器件才能转 变为零偏压，少子抽取，耗尽层扩展，器件转变为反偏稳态。 当外加电压由反向转为正向时，势垒电容起主要作用，端电压转化速度相对比较快。 四、功率二极管 主要有肖特基p-i-n二极管PiN和肖特基势垒二极管SBD两种类型。 PiN结 一般有P+PNN+和P+INF种结构 正向特性： 正向工作时，从高掺杂区注入大量的沙子，调制了低掺杂区（PN,I区）的电导率，使 得器件在具有较厚的低掺杂区域的情况下依然具有较高的电导率。而当少子注入的区域不能 覆盖整个低掺杂区时，正向压降会急剧上升。 反向特性： 为了和正向特性折中，低掺杂区的厚度不能太厚。可以通过降低掺杂来提高击穿电压一 一压缩场结构 瞬态特性： 应用于功率电路中的功率二极管，需要关注的是电流发生突变时，器件压降的变化情况。 开通过程（电流从0上升为正向稳态）：正向电流会造成少子的注入，少子在中性区的积累会 造成端电压向正向增加。 少子积累到一定程度，出现电导调制效应，使得电压下降一一电压过冲 关断过程（电流从正向稳态转变为反向电流并下降为0）： 正向电流从最大值下降并反向，反向电流由器件内部存储的少子提供；当结两端附近 的少子被抽尽时，端电压开始由正转负，耗尽层出现；而器件内部储存的少子通过复 合和被耗尽层抽取的方式被消耗掉；当少子被完全消耗掉，反向电流变为0,器件恢 复阻断。 即少子的抽取可以分两个过程：一个是通过反向电流抽取附近的载流子，完成后端电压开始 转变；第二个