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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-09-14 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供第一鳍部以及第一鳍部之间的第一凹槽、第二鳍部以及第二鳍部之间的第二凹槽，第二凹槽底面高于第一凹槽底面；在衬底上形成覆盖第一鳍部部分侧壁的第一隔离层，且第一隔离层的顶面低于第二凹槽的底面；对第一隔离层以及第二凹槽底面掺杂离子，分别在第一鳍部中和第二鳍部中形成防穿通区；形成防穿通区后，形成横跨第一鳍部和第二鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的第一鳍部和第二鳍部中形成源漏掺杂区，且掺杂离子类型与防穿通区中的掺杂离子类型不同。本发明实施例根据不同器件的沟道区的位

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111863725 A (43)申请公布日 2020.10.30 (21)申请号 20191

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