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体硅SOI MOSFET 与LDMOS的非准静态效应研究的中期报告 摘要 本研究探讨了体硅SOI MOSFET和LDMOS的非准静态效应（NQS）问题。在SOI MOSFET中，NQS主要包括漂移区S/D结的损耗和背漏；而在LDMOS中，NQS主要是漏电流的增加。我们通过对两种器件的结构进行分析，并针对NQS进行了模拟研究。结果表明，在SOI MOSFET中，背漏对NQS的贡献非常显著，而S/D结损耗对NQS的影响较小；在LDMOS中，漏电流的增加是主要的NQS来源，但通过添加漏电流控制剂可以有效地减少漏电流并提高器件性能。 引言 最近几年，体硅SOI MOSFET和LDMOS（Lateral Diffusion Metal Oxide Semiconductor）器件得到了广泛的研究和应用。在这些器件中，非准静态效应（NQS）是一个重要的问题，会对器件的性能和可靠性产生影响。 在SOI MOSFET中，NQS主要包括漂移区S/D结的损耗和背漏；而在LDMOS中，NQS主要是漏电流的增加。为了解决这些问题，需要深入研究器件结构和物理机制，并进行模拟和优化。 本报告介绍了我们对体硅SOI MOSFET和LDMOS的NQS问题进行的中期研究。 实验方法 我们选取了两种不同的器件结构：体硅SOI MOSFET和LDMOS。下图分别展示了它们的结构示意图。 我们使用Silvaco TCAD软件对这些器件进行了模拟研究。具体地，我们通过对器件结构进行模拟分析来了解NQS的来源。我们还对漏电流控制剂进行了模拟研究，以探讨它对LDMOS性能的影响。 结果与讨论 在SOI MOSFET中，NQS主要来源于漂移区S/D结的损耗和背漏。我们将这两个因素分别进行了模拟研究，结果表明背漏对NQS的影响非常显著，而S/D结损耗对NQS的影响较小。 在LDMOS中，漏电流的增加是主要的NQS来源。我们通过添加漏电流控制剂来减少漏电流。通过模拟研究，我们发现，添加漏电流控制剂可以有效地控制漏电流并提高器件性能。 结论 本研究对体硅SOI MOSFET和LDMOS的NQS问题进行了模拟研究。在SOI MOSFET中，背漏对NQS的影响非常显著，而在LDMOS中，漏电流的增加是主要的NQS来源。通过添加漏电流控制剂可以有效地控制漏电流并提高器件性能。