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PC 核心技术概况
不论是 AMD、Intel 的 CPU 还是 AMD、NVIDIA 的 GPU, FinFET 工艺都会带来 20%以上的性能提升,30-40%的功耗降低,最终的 CPU/GPU 不仅性能更强,功耗也会大幅降低。
在过去的几年里,尽管 PC 产业一直面临下滑的困境, 但技术进步是止不住的,越是在困难的情况下,技术发展就 越重要,新技术不仅能为企业打开新的大门,也能给消费者 带来全新的应用体验,创造全新的需求,从而推动产品升级 换代。作为 PC 核心技术的 CPU、GPU 等领域,会有哪些值得关注的技术进步呢?
半导体技术是整个 PC 产业的根基,半导体工艺没进步, 核心 PC 产品就无法继续发展。在过去的 50 年中“摩尔定律” 成了主导半导体工艺进展的金科玉律,Intel 不仅是摩尔定律的提出者,也是摩尔定律最坚定的捍卫者,Intel 也靠着摩尔定律成就了一方霸业。
但是业界对摩尔定律的质疑也从来没断过,特别是最近 几年,很多人都认为硅基半导体技术很快就要面临极限了, Intel 自己的“Tick-Tock”钟摆战略在 Haswell 架构之后也失效了,14nm 工艺延期了一年多,以致于到了 2016 年 14nm 依然会是主流。
按照目前的形势来看,14/16nm FinFET 工艺已经成熟, 除了 Intel 之外,TSMC、三星已经在去年分别量产了 14nm、16nm FinFET 工艺,今年开始量产第二代高性能工艺了, GlobalFoundries 今年也会量产 14nm 工艺。下一步是 10nm 节点,虽然进度比预期的晚,不过 10nm 工艺现在也渡过研发阶段了,目前正在准备量产,Intel 预计是在 2017 年下半年推出 10nm CannonLake 处理器,TSMC 与三星在 10nm 工艺上更积极,对宣称今年下半年就会量产 10nm 工艺。
10nm 之后就是 7nm 节点了,但它离量产还有段距离, 因为工艺越先进,晶体管间距越小,漏电流也愈加严重,导致晶体管功耗过高。除此之外,先进的生产工艺还要依赖半导体制造装备的进步,原本在 10nm 工艺就准备启用的 EUV 光刻机一直不够成熟,ASML 公司为了研发 EUV 设备投入了相当多的资源,但EUV 光刻机的产量及光照强度还是上不去, 离规模化工业生产还有很长的距离,以致于 Intel 等公司并不看好 7nm 节点启用 EUV 的前景,有可能要拖到 5nm 节点。硅基半导体受挫,科研人员很早就开始寻找新的半导体材料, 包括砷化镓、碳纳米管甚至量子阱晶体管。2015 年 IBM 及合作伙伴三星、GlobalFoundries 率先展示了 7nm 工艺芯片,使用的就是硅锗材料,使用这种材料的晶体管开关速度更快, 功耗更低,而且密度更高,可以轻松实现 200 亿晶体管,晶体管密度比目前的硅基半导体高出一个量级。
英特尔公司虽然没有展示过 7nm 工艺,但他们对此一直很自信,此前表态称即便没有EUV 工艺,他们也懂得如何制造 7nm 芯片,但愿这没有在吹牛,因为 Intel 能否即时推出7nm 工艺,关系着摩尔定律还能否再战二十年。
半导体工艺发展虽然很重大,但并不急迫,AMD、Intel 新一代处理器至少还有 14nm、10nm 两代工艺可用。2016 年这两家都会推出新一代处理器,其中 AMD 推的是呕心沥血研发多年的改头换面之作――Zen 处理器,Intel 今年则会有 Broadwell-E 及 Kabylake 处理器。
先说领跑者 Intel,今年的2 代新品中,Broadwell-E 是针对 LGA2011 平台的 HEPT 发烧级处理器,Kabylake 是针对主流市场的 LGA1151 处理器,前者最动人的地方在于桌面处理器首次出现 10 核心设计,旗舰型号 Core i7-6950X 将是 10 核20 线程,频率 3.0GHz,L3 缓存高达 25MB。
至于跟跑者 AMD,他们今年上半年会把第四代模块化架构 Excavator 核心带到桌面市场上,推出 AM4 插槽的 Bristol Ridge 处理器,下半年的重点则是 Zen 架构处理器,也是 AM4 插槽,但架构、工艺全新升级,放弃之前由推土机架构引入 的模块多核理念,回归传统的 SMT 多线程。
Zen 架构曝光率非常高,隔三差五就要在媒体上亮相, 虽然我们对 Zen 架构的细节所知甚少,但从 AMD 及各方流传出来的信息来看,Zen 架构性能值得期待,官方表示 IPC
性能提升 40%还多,14nm FinFET 工艺也会大幅降低处理器的功耗。
还有一点值得注意,不光 Intel 在推 8 核甚至 10 核处理器,AMD 的 Zen 架构多核并行能力也有提高,
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