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近红外光电检测器半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-09-14 发布于四川
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近红外光电检测器半导体器件.pdf

    近红外光电检测器半导体器件包括具有主表面(10)的第一类型电导性的半导体层(1)、在半导体层中的主表面处的沟槽或多个沟槽(2)、在沟槽或多个沟槽中的SiGe合金层(3)、以及在沟槽或多个沟槽中的第二类型电导性的导电填充材料，其中，第二类型电导性与第一类型电导性相反。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111684597 A (43)申请公布日 2020.09.18 (21)申请号 20188

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