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本发明提供一种LED阵列的等效电路模型及其参数提取方法，其阵列模型的阵列单元包括主体模型和第一外围RLC模型，通过第一外围RLC模型，将LED阵列的各LED之间的物理走线、连接布局带来的寄生影响，以及自耦和互耦效应，具体到各LED对应的主体模型外围，以该阵列单元构成阵列模型，以根据该阵列模型和提取出的参数，模拟表征LED阵列的实际性能。本发明提供的LED阵列的等效电路模型及其参数提取方法，将LED阵列中的寄生影响和耦合效应，具体到阵列模型中的各主体模型外围，提高了阵列模型对LED阵列的实际通信特
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116757130 A
(43)申请公布日 2023.09.15
(21)申请号 202311041742.4
(22)申请日 2023.08.18
(71)申请人 南昌大学
地址 330000
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