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硅芯片压力感应装置及设备.pdfVIP

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  • 2023-09-17 发布于四川
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硅芯片压力感应装置及设备.pdf

    本实用新型属于压力感应技术领域，涉及硅芯片压力感应装置及设备。在硅芯片压力感应装置中，刚性结构包括间隔设置的刚性块，相邻两个刚性块之间形成应变放大区，在应变放大区的两个安装面分别设置两个第一硅压力感应芯片，四个第一硅压力感应芯片连接形成第一全桥电路。在使用时将刚性结构贴合在被测物体上，被测物体受力变形，刚性结构的应变集中在应变放大区，第一硅压力感应芯片产生形变并由第一全桥电路输出信号，第一全桥电路电连接于信号处理电路，进而检测刚性结构的形变并得出被测物体的作用力。该硅芯片压力感应装置及具有该硅芯

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210442010 U (45)授权公告日 2020.05.01 (21)申请号 20192

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