半导体器件原理第四章.pdf

半导体器件原理 Principles of Semiconductor Devices 第四章：MOS （金属-氧化物-半 导体）场效应晶体管 （Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET ） 刘宪云 逸夫理科楼514室 场效应晶体管介绍  什么是场效应管? 场效应晶体管 【Field Effect Transistor缩写(FET)】简 称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管 ，它属于输入电压控制输出电流的半导体器件，仅由一种 载流子参与导电。 电场 D 电 S 流 场效应晶体管，FET, field effect transistor 利用垂直于导电沟道的输入电压的电场作用，控制导电沟道 输出电流的一种半导体器件.  FET与双极晶体管的比较 BJT FET与BJT的区别：  1. FET 为电压控制器件; BJT 为电流控制器件。  2. FET输入阻抗高，实际上不需要输入电流，在模 拟开关电路，高输入阻抗放大器和微波放大器中具 有广泛的应用。  3. FET为单极器件，没有少子存储效应，适于高频 和高速工作。  4. 在大电流时，FET具有负的温度系数，随着温度 的增加FET的电流减小，使整个器件温度分布更加 均匀。  5. 制备工艺相对比较简单，适合大规模集成电路。 场效应晶体管的家族谱系 pn结栅 肖特基栅 绝缘栅  随着集成电路设计和制造技术的发展，目前大部 分超大规模集成电路都是MOS集成电路。在数字 集成电路，尤其是微处理机和存储器方面， MOS集成电路几乎占据了绝对的位置。  MOS在一些特种器件，如CCD （电感耦合器件） 和敏感器件方面应用广泛。 促进MOS晶体管发展主要有以下四大技术： a) 半导体表面的稳定化技术 b) 各种栅绝缘膜的实用化 c) 自对准结构MOS工艺 d) 阈值电压的控制技术 第四章：MOS （金属-氧化物-半 导体）场效应晶体管 §4.1 MOS场效应晶体管基础 ◼ 4.1.1 双端ＭＯＳ结构 ◼ 4.1.2 电容－电压特性 ◼ 4.1.3 ＭＯＳＦＥＴ基本工作原理 ◼ 4.1.4 频率限制特性 ◼ 4.1.5 ＣＭＯＳ技术 ◼ 4.1.6 小结 4.1.1 双端MOS结构 MOS 电容结构 MOSFET 的核心是金属－氧化物－半导体电容， 其中的金 属可以是铝或者一些其它的金属，但更通常的情况是在氧 化物上面淀积高电导率的多晶硅；然而，金属一词通常被 延用下来。 Al或高掺杂 氧化层介电常数 的多晶Si SiO2 氧化层厚度 n型Si或p型Si