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氧化锆薄膜的阻变存储器特性研究
摘 要
存储设备是诸如RFID标签，传感器和存储输入信号的显示器的现代电子设备的重要单元之一。近年来，阻变式存储器的发展势头迅猛，也因为它所存在的优势逐渐成为未来非易失性存储器件中最有发展潜力的器件之一，但是在研究过程仍有许多问题需要探究。
本篇论文，主要介绍了阻变存储器的基本概念、结构、特性和发展现状等基本概念，简述了制备薄膜器件所需要的化学试剂和实验仪器，并对制备薄膜器件的概念和方法进行了详细介绍和优缺点分析。
通过实际实验操作，以正丁醇锆为原料配制出ZrO2溶胶，用溶胶凝胶法分别在P型硅、FTO、Mica衬底上以LaNiO3薄膜作为底电极制备出ZrO2
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