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功率芯片高导热胶接技术 《电子机械工程杂志》2014年第三期 1试验方法及过程 1. 1测试件制作 用环氧贴片机在热沉上点涂适量高导热导电胶，将功率芯片粘接 在热沉上。将热沉放置在烘箱中，分别以不同的参数固化高导热导电 胶，见表lo高导热导电胶固化后，将热沉压接在封装测试壳体上, 配以外围电路用于测试，如图1所示。 1. 2环境试验及测试方法 1. 2. 1环境试验参照GJB548B—2005《微电子器件试验方法和 程序》，对测试件做热冲击和温度循环试验，具体试验条件如下：1） 热冲击试验的温度为一55℃?125C,循环次数为15次;2）温度循环 试验的温度为-55℃?125℃,循环次数为100次。 1. 2. 2胶层厚度测定芯片装入测试件固化后，通过三维轮廓仪 测量得到芯片和导电胶的厚度H,测量芯片可以得到厚度H0,导电胶 厚度h为两者之差，即h二H一H0。 1. 2. 3芯片剪切力测试参照GJB548B—2005《微电子器件试验 方法和程序》，对胶接芯片做破坏性剪切力测试，如图2所示（芯片用 同样尺寸、底面镀金的陶瓷片代替）。 2. 4胶透率测试功率芯片导电胶粘的胶透率通过超声断层扫 描仪测试，超声传输介质为纯净水，测试方向为芯片背面。 .5红外成像测试设定底板温度为70℃,芯片漏压额定10V, 调节栅压控制电流为0. 5A、1. 0A、1. 5A和2. 0A,得到5W、10制