静电纺丝技术制备半导体金属氧化物纳米材料及其气敏与光催化性质研究的中期报告.docxVIP

静电纺丝技术制备半导体金属氧化物纳米材料及其气敏与光催化性质研究的中期报告 本研究旨在利用静电纺丝技术制备半导体金属氧化物纳米材料，并探究其气敏性能和光催化性能。在研究的前期，我们首先通过实验确定了制备纳米材料的最佳静电纺丝条件，包括聚合物浓度、静电场强度、喷丝距离等因素，成功制备出了一系列半导体金属氧化物纳米材料。 通过场发射扫描电子显微镜（FESEM）和透射电子显微镜（TEM）等表征技术对所制备材料进行了形貌和结构表征。结果表明，所制备的材料颗粒大小均一，分散性较好，具有较高的结晶度和表面积。 随后，我们对所制备的纳米材料进行了气敏和光催化性能测试，并对其性能特点和机理进行了分析。实验结果表明，所制备的纳米材料对CO和NO2等气体呈现出较高的灵敏度和选择性，表现出良好的气敏性能；同时，该材料在紫外光照射下表现出优异的光催化性能，能够降解溶液中的污染物，表现出良好的环境处理应用前景。 综上所述，本研究成功制备了一系列高性能的半导体金属氧化物纳米材料，并初步探究了其气敏性能和光催化性能。此研究成果对于深入理解纳米材料的性能特点和应用具有一定的参考价值。