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awo透明导电薄膜的制备与应用 1 其它光电薄膜 随着半夏、计算机、太阳能等行业的发展，透明电子显微镜（tco薄膜）产生并开发出了新的功能材料。这类薄膜具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等光电特性, 在太阳能电池、平面显示、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域具有广阔的应用前景。其中制备技术最成熟、应用最广泛的当属In2O3基 (In2O3∶Sn, 简称ITO) 薄膜。但是, 由于ITO薄膜中In2O3价格昂贵, 从而导致生产成本很高;而且, In材料有毒, 在制备和应用过程中对人体有害;另外, Sn和In的原子量较大, 成膜过程中容易渗入到衬底内部, 毒化衬底材料, 尤其在液晶显示器件中污染现象严重。20世纪80年代兴起的Zn O∶Al (简称AZO) 透明导电薄膜中的Zn源价格便宜、来源丰富、无毒, 并且在氢等离子体中稳定性要优于ITO薄膜, 同时具有可与ITO薄膜相比拟的光电特性。所以, AZO薄膜目前已成为TCO薄膜领域的研究热点。 作者将对AZO薄膜的各种制备技术和开发应用进展进行概述, 同时简述本课题组正在研究的一种新的AZO薄膜的制备方法, 希望能和广大研究人员一起探讨。 2 高效材料的制备 为了获得可见光谱区透射率高、电导率高、性能稳定、附着性好、能符合不同用途不同要求的高质量的AZO膜, 国内外已经研发出多种AZO薄膜的制备技术来调控和改善材料的性能。各种技术虽然各具特点, 但都致力于完善薄膜性能、降低反应温度、提高控制精度、降低制备成本和适应大规模生产。 2.1 射频-截面磁控水质薄膜的制备 溅射是利用荷能粒子轰击固体靶材, 使靶材原子或分子被溅射出来并沉积到衬底表面的一种工艺。靶材可选用金属靶和陶瓷靶。磁控溅射制备法具有沉积速率高、基片温度低、成膜黏附性好、易控制、成本低、适合大面积制膜的优点, 仍是目前研究最多、最成熟、应用最广泛的AZO薄膜制备技术。 CHANG J F等利用射频反应磁控溅射法在7059玻璃和硅片上沉积了AZO薄膜, 并研究了靶材成分、射频功率、衬底温度、压力、氧分压、退火温度以及退火时间对薄膜的微观结构、光电特性的影响。实验获得了 (002) 择优取向、高透明度、低电阻率的光滑薄膜, 并且分析得出射频功率的升高及沉积后的退火处理都能导致薄膜电阻率的降低。YANG T L等利用射频磁控溅射法在有机衬底上沉积了附着性好、电阻率低的多晶AZO薄膜。其电阻率为1.84×10-3Ω·cm, 载流子浓度4.62×1020cm-3, 霍尔迁移率7.34 cm2·V-1·s-1, 可见光平均透射率达84%。HONG R J、FU EN-GANG等利用中频磁控溅射法在玻璃、硅片衬底上制备了AZO薄膜, 发现工作气体 (氧气或氩气) 分压、衬底温度对薄膜结构、光电特性有重要的影响。ZHANG D H等利用射频磁控溅射法在聚亚安脂和聚丙烯己二酸聚合物衬底上沉积了AZO薄膜, 发现衬底温度、溅射功率、气压、靶材的成分都会影响成膜的质量。ELLMER K等同时利用射频和直流励磁磁控溅射制备了AZO薄膜。实验发现, 对靶材增加直流激励能提高薄膜的沉积速率, 通过调整DC∶RF的比可以调谐靶的电压和离子的能量。WANG W W等利用直流磁控溅射法以Zn-Al金属靶材 (Al∶3%质量分数) 为源在玻璃衬底上制备了AZO薄膜。实验得出最佳工艺参数:衬底温度250℃, O2PAr比为10∶40, 溅射功率55 W。AGASHE CHITRA等报道了射频、中频、各种直流磁控溅射的沉积参数 (包括靶材掺杂浓度、膜厚、溅射气压、沉积温度等) 对薄膜光电性能的影响。关于AZO薄膜的多靶式共溅镀法报道也越来越多。TOMINAGA K等报道了Zn靶在Zn O∶Al和Zn靶共溅成膜中的作用及Zn靶中的Co、Mn和Cr杂质对成膜的影响。OH BYEONG-YUN等利用多靶式共溅镀法制备了AZO薄膜, 研究发现Al掺杂没有改变Zn O的纤锌矿结构, 随着Al浓度的增加, 薄膜表面变得粗糙, 当Al掺杂为2.07% (质量分数) 时薄膜的电阻率为6×10-3Ω·cm, 载流子浓度2×1020cm-3, 可见光透射率高达90%。KELLY P J等介绍了一种新奇的镀膜方法, 即脉冲直流磁控溅射法, 分析了直流磁控溅射和射频磁控溅射的局限性, 并用此法制备出高质量、少缺陷、有较好光电性能的AZO薄膜。 2.2 薄膜的aze 溶胶-凝胶法是目前制备纳米薄膜的最重要的方法之一。该方法工艺设备简单, 无需真空条件, 制作成本低;易获得均匀相多组分体系, 可以有效地控制薄膜的组分和结构;薄膜制备温度低, 易在各种不同形状的衬底上实现大面积成膜。所以国内外已有很多研究人员用该方法来制备AZO薄膜。 JIMENEZ GONZALEZ A E等采