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本发明涉及晶硅电池技术领域，具体涉及一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺，对预清洗后的硅片进行一次吸杂和一次制绒后进行二次吸杂和二次制绒。针对在PECVD沉积非晶硅薄膜前工序，通过预处理联动整合优化，结合特定工艺参数的实施，在形成绒面前进行预清洗与吸杂，得到首次纯净的衬底硅，实现了传统工艺宏观上对衬底硅表面缺陷态的预处理，其次形成绒面后即形成金字塔绒面后再吸杂，实现微观上对硅片内部以及绒面坑洞上表面缺陷态的预处理，随后再进行去吸杂层与圆化预处理，大幅改善了衬底硅表面的纯净度，为非晶硅的沉
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116798854 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310672745.1
(22)申请日 2023.06.07
(71)申请人 眉山琏升光伏科技
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