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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种深沟槽刻蚀方法。包括以下步骤：在晶片的下层互连层上形成上层介质层；在上层介质层的正面形成研磨阻挡层；基于深沟槽掩模板光刻刻蚀研磨阻挡层，使得研磨阻挡层中形成深沟槽窗口；上层介质层的表面从深沟槽窗口中外露；对带有深沟槽窗口的研磨阻挡层进行化学机械研磨，使得深沟槽窗口位置处的上层介质层被研磨去除形成凹陷结构；从该凹陷结构的中间区域至其边缘区域，凹陷结构的凹陷程度逐渐变小；以带有深沟槽窗口的研磨阻挡层为掩膜层，对带有凹陷结构的上层介质层进行干法刻蚀形成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116798944 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310801609.8
(22)申请日 2023.06.30
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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