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Ge1-xSnx合金的外延生长与器件应用的中期报告 Ge1-xSnx合金是一种具有优异电学性能的材料，已经被广泛应用于半导体器件中。外延生长是制备高质量Ge1-xSnx合金的关键技术之一。本报告介绍了Ge1-xSnx合金的外延生长方法和其在器件应用中的最新进展。 基于现有的外延生长技术，可以制备出高质量的Ge1-xSnx合金。其中最常用的方法是分子束外延（MBE）和金属有机气相外延（MOCVD）。MBE的优点是容易控制生长参数，可以实现高纯度的生长，但生产率低，成本较高。MOCVD具有高生产率和低成本的优点，但对生长条件的处理要求较高。 Ge1-xSnx合金在红外光电探测器、激光器、太阳能电池等领域都有着广泛的应用，特别是在红外探测器领域取得了显著的进展。通过优化生长条件和器件结构，已经成功制备出了高性能的Ge1-xSnx红外探测器。其中，最优的探测性能的器件表现出了高达28A/W的响应度和140K的截止温度。 总体来说，生长高质量的Ge1-xSnx合金是实现器件应用的关键。未来的研究应该致力于进一步优化生长技术和器件结构，以实现更高的性能和更广泛的应用。