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原子层沉积制备氧化铝薄膜的光学性能研究 1 ald薄膜沉积 原子沉积（ald），也称为原子嵌入法，在20世纪70年代由芬兰科学家提出。原子层沉积技术由于其沉积参数 (厚度, 成份和结构) 的高度可控性, 优异的沉积均匀性和一致性等特点, 使得其在光学与光电子薄膜领域具有广泛的应用潜力, 最近几年引起了高度关注。就目前的报道来看, ALD的应用领域已逐渐从半导体拓展到其他领域, 如光学领域。杜邦公司 (DuPont) 采用ALD制备厚度25 nm的Al2O3薄膜作为有机电致发光二极管 (OLED) 的气体扩散阻隔层, 大大地提高了OLED的发光寿命;芬兰Planner System公司提出了在TiO2薄膜中插入Al2O3纳米层来破坏结晶, 获得无定形且残余应力小的TiO2薄膜;美国Corning公司在DLP显示芯片DMD的封装中采用ALD的Al2O3薄膜作为密封层等。 Al2O3材料作为一种很常用的高折射率材料广泛应用于多层介质膜中。Al2O3薄膜的光学特性强烈依赖于镀膜工艺条件及杂质污染等其它因素。传统电子束热蒸发方法沉积的 Al2O3薄膜容易出现失氧及结构疏松等情况, 限制了其在紫外波段的应用。采用离子辅助技术可以在一定程度上得到改善, 但是不利之处是同时又引入了其它的污染。有关ALD制备Al2O3薄膜的栅极特性已有相关文献报道过, 主要研究Al2O3薄膜的微结构和电学特性。但