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钽薄膜电阻的制备及性能研究的中期报告 钽薄膜电阻的制备及性能研究的中期报告 一、研究背景 钽薄膜电阻作为一种重要的电子元件，已广泛应用于市场上的各类电子产品中，如集成电路、LED等。其具有体积小、可靠性高、稳定性好、温度系数低等优点，因此，在电子产品中的应用越来越广泛。在这个背景下，研究钽薄膜电阻新的制备方法和性能提升成为了热门的研究领域。 二、研究目的 本研究旨在： 1. 探索一种新的制备钽薄膜电阻的方法； 2. 研究该方法下制备出的钽薄膜电阻的物理性质； 3. 优化制备方法，提升钽薄膜电阻的电性能。 三、研究内容 1.试验方法 本研究采用磁控溅射技术制备钽薄膜电阻。具体步骤如下： （1）将钽靶架置于真空腔中； （2）将腔内压力降至10-4Pa以下，开启靶材与离子源电源，使靶材表面形成等离子体； （3）调整磁场使等离子体与样片表面垂直，开始溅射钽靶材； （4）将制备出的样片放入高温氮气中进行退火处理。 2.试验结果 （1）钽薄膜电阻的形貌：扫描电子显微镜的照片显示出制备出的钽薄膜电阻表面光滑，无氧化、无结晶缺陷。 （2）钽薄膜电阻的电学性能：通过测试钽薄膜电阻体积电阻率和温度系数，得到其电学性能，表现出较低的体积电阻率和温度系数，分别为2.4*10-5Ω·cm和25.0×10-6/K。 3.优化措施 针对试验结果得到的结论，本研究拟对溅射工艺步骤进行优化，进一步提升钽薄膜电阻的电学性能。 四、结论 本研究通过磁控溅射技术制备了钽薄膜电阻，得出了钽薄膜电阻表面光滑、无氧化和无结晶缺陷等结论，同时，得到了钽薄膜电阻体积电阻率和温度系数的数值，并拟在此基础上继续进行优化措施，提升钽薄膜电阻的电性能。