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simosfe模拟中的散射机制 0 散射机制的选择 半主导设备的计算机模拟是研究和设计设备的重要工具，其精度与所依赖的设备模型和选项的解决方案密切相关。 随着集成度的提高,器件尺寸的变小,亚微米半导体器件的发展成为当今微电子技术领域中的一个重要方面.器件尺寸变小后,在器件内部出现了一些新的效应,如速度过冲效应等.因此,对于小尺寸器件,用传统的数值模拟方法难以求得器件物理特性的精确结果,而Monte Carlo方法是研究这类问题的有力工具. Monte Carlo方法的核心是用概率的方法处理和散射有关的随机事件,而且与之相关的计算量通常也占有很大比重.因此,在模拟中如何合理的选择散射机制显得尤为重要.本文着重讨论了Si MOSFET在Monte Carlo法模拟中所要使用到的散射机制,计算出各种散射机制对散射率的贡献,并模拟了Si MOSFET内部载流子在高场下的漂移速度随时间的变化关系. 1 载流子散射的发生和发展 众所周知,载流子在运动时会不断地与热振动着的晶格或半导体中电离了的杂质离子发生碰撞,使载流子速度的大小及方向发生改变,即载流子在运动中遭受到了散射.在具有严格周期势场的晶体中,载流子不会遭到散射,但是在实际晶体中,存在破坏严格周期势从而引起散射的各种因素.晶格振动和各种晶格缺陷都可导致对周期势的偏离.因而载流子在实际输运过程中将遭受十分频繁的散射,每秒发生的散射次数大